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來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，今年2月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院、硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片，成為國內(nèi)首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。氧化鎵(β-Ga2O3) 是目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件。 據(jù)悉，鑄造法是由楊德仁院士團隊自主研發(fā)，用于生長氧化鎵單晶的新型熔體法技術(shù)。2022年5月，團隊采用鑄造法成功生長出2英寸氧化鎵單晶。隨后由杭州鎵仁半導(dǎo)體持續(xù)迭代、不斷創(chuàng)新，于2023年5月成功生長出4英寸氧化鎵單晶。2024年2月就突破了6英寸氧化鎵單晶的生長，并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)。 鑄造法具有以下顯著優(yōu)勢：第一，鑄造法成本低，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；第二，鑄造法簡單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；第三，鑄造法擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)，中國和美國專利已授權(quán)，為突破國外技術(shù)壟斷，實現(xiàn)國產(chǎn)化替代奠定堅實基礎(chǔ)。 |
