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來源： The Elec 繼中國存儲芯片制造商YMTC之后，包括Kioxia、三星電子和SK海力士在內的其他主要存儲芯片制造商預計也將在NAND閃存中采用混合鍵合技術。Kioxia 正在其 218 級產品中立即采用混合鍵合技術，這些產品預計將于明年發布。該公司計劃通過分離外設和存儲單元，然后將兩個晶圓堆疊在一起來制造 NAND，從而提高生產效率。據報道，三星電子和 SK 海力士也在研究混合鍵合技術。三星最近發表了一篇相關論文。它被解讀為一種應對 NAND 日益脆弱趨勢的策略。 "許多公司已經決定在 NAND 上應用混合鍵合技術，"TechInsights 高級副總裁 Choi Jeong-dong 最近對 Dilek 說，"Kioxia 將率先在明年發布的第 218 代產品上應用'Xtacking'方法，"他說。"Kioxia稱這種方法為'CMOS直接鍵合到陣列'（CBA），而不是Xtacking。" 混合鍵合是封裝技術的下一個大趨勢。它將晶圓或芯片堆疊在一起，形成一個半導體。它具有改善輸入/輸出（I/O）和導線長度的優勢。根據堆疊方法的不同，可分為晶圓到晶圓（W2W）、晶圓到芯片（W2D）和芯片到芯片（D2D）。其中，以晶圓對晶圓的 W2W 堆疊方式產量最高。YMTC 也在通過 W2W 生產 nand。在韓國，三星電子等公司正在將 W2W 應用于 CMOS 圖像傳感器 (CIS)。 
目前，除 YMTC 外，其他 NAND 公司都是通過在外圍設備上堆疊存儲單元來制造 NAND 的。這意味著它將分為邏輯晶圓（外設）和單元陣列晶圓。"三星電子正計劃在 V11 和 V12 前后的量產中應用混合鍵合技術，"他說，"海力士并不清楚具體的應用時間，但它已經在路線圖上了。"三星最近在電氣與電子工程師學會（IEEE）會議上提交了一篇關于 NAND 混合鍵合應用的論文。 不過，量產需要獲得專利。行業分析師估計，臺積電持有 50% 以上的相關專利，而 Xperi 持有約 30%。YMTC 正在利用 Xperi 的專利量產混合鍵合的 nand。Choi說："據推測，他們將與Xperi簽署許可協議，""如果不可能，他們將試圖通過與臺積電簽署協議來避免這種情況。" YMTC 正在考慮堆疊三個晶圓，以規避美國的公共制裁。一個邏輯晶圓和兩個電池陣列晶圓將被堆疊在一起。YMTC 稱之為 "堆疊 4"。目標是用這種方法制造出 300 多個納米節點。 今年上半年，YMTC 出貨了 232 層 nand 產品。Choi說："（在堆疊三個晶圓時），必然會出現良率問題。""你必須把存儲單元堆疊在一起，如果排列不對，產品就無法使用。""他補充說："你需要精細控制在 12 到 15 納米之間，這在后處理中非常困難。 TechInsights 是全球最大的半導體逆向工程公司。它為半導體公司提供專利侵權分析等服務。Choi 是 TechInsights 的高級副總裁，負責存儲器業務。 |
