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安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術(shù)提升Ampt的直流優(yōu)化器性能 2023年1月6日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，和世界頭號大型光伏（PV）太陽能和儲能系統(tǒng)直流優(yōu)化器公司Ampt LLC宣布攜手合作，以滿足市場對直流組串優(yōu)化器的高需求。Ampt在其直流組串優(yōu)化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術(shù)之N溝道SiC MOSFET，用于關(guān)鍵的功率開關(guān)應(yīng)用。 Ampt組串優(yōu)化器用于大規(guī)模光伏電站，使成本更低、性能更高的太陽能和直流耦合儲能系統(tǒng)被共同部署在太陽能電站內(nèi)。組串優(yōu)化器以高的固定電壓輸送來自光伏陣列的電力，系統(tǒng)電壓范圍在600 VDC至1500 VDC，降低了電站的整體電流要求和成本。Ampt優(yōu)化器利用安森美最新的具有極低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的SiC MOSEFT技術(shù)，實現(xiàn)了儲能系統(tǒng)和太陽能電站更高的雙向充放電效率。 Ampt首席執(zhí)行官Levent Gun說：“將安森美的EliteSiC技術(shù)納入我們的直流優(yōu)化器，有助于大型光伏電站開發(fā)商提高項目的經(jīng)濟效益。顯然，產(chǎn)品性能是我們的一個關(guān)鍵決策點，而安森美提供在設(shè)計階段的技術(shù)支持及持續(xù)供貨保證，支持Ampt的快速擴展，證明安森美是個強大的合作伙伴。” EliteSiC器件的RDS(on)典型值為80 mΩ，柵極電荷(Qg)值為56 nC，Rg較低，為1.7Ohms。它能夠在175°C的結(jié)溫下工作，降低了應(yīng)用中的熱管理要求，從而實現(xiàn)尺寸更小、成本更低的方案。 安森美執(zhí)行副總裁兼電源方案部總經(jīng)理Simon Keeton說：“我們的EliteSiC技術(shù)把高性能和高可靠性相結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)高效、可靠的直流優(yōu)化器，這也是Ampt這樣的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者所期望的。我們期待持續(xù)合作開發(fā)新產(chǎn)品，推進(jìn)可再生能源應(yīng)用向前發(fā)展，打造一個可持續(xù)的生態(tài)系統(tǒng)。” |
