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特征 低 Qrr 和 Qoss 低開關損耗 換向穩健型快速體二極管 先進溝槽技術帶來出色的柵極氧化物可靠性 采用 .XT 互連技術，實現卓越的熱性能 雪崩能力更強 SMD 封裝，可直接集成至 PCB 用于優化開關性能的感測引腳 參數：IMBG65R039M1HXTMA1（IMBG65R039M1H） 電壓：650 V 電流：54 A 工作溫度：-55 °C ~ 175 °C 功率： 211 W 極性：N 應用：工業 RDS (on) (@ Tj = 25°C) 39 mΩ 概述 IMBG65R039M1H CoolSiC MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術，適于大功率應用。 該器件旨在提高系統性能，縮減尺寸，增強可靠性。 應用 服務器 電信 開關電源 (SMPS) 太陽能系統 儲能和電池系統 不間斷電源 (UPS) 電動汽車充電 電機驅動器 以上就是IMBG65R039M1HXTMA1旨在提高系統性能 650V MOSFET全部內容，明佳達電子、星際金華 供求IMBG65R039M1HXTMA1（IMBG65R039M1H）650V MOSFET。 注：本文部分內容與圖片來源于網絡，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯系刪除！ |
