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功能概述 FM25V02A是使用高級(jí)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時(shí)間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器造成的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性的問(wèn)題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V02A以總線速度執(zhí)行寫操作。不會(huì)產(chǎn)生寫延遲。每個(gè)字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷�，�?shù)據(jù)立即被寫入到存儲(chǔ)器陣列內(nèi)。這時(shí)可以開(kāi)始執(zhí)行下一個(gè)總線周期而不需要輪詢數(shù)據(jù)。鐵電存儲(chǔ)器與其他非易失性存儲(chǔ)器相比，該產(chǎn)品提供了更多的擦寫次數(shù)。FM25V02A能夠支持1014次讀/寫周期，或支持比EEPROM多1億次的寫周期。 由于具有這些特性，因此FM25V02A適用于需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用。應(yīng)用的范圍包括從數(shù)據(jù)采集（其中寫周期數(shù)量是非常重要的）到苛刻的工業(yè)控制（其中串行閃存或EEPROM的較長(zhǎng)寫時(shí)間會(huì)使數(shù)據(jù)丟失）。 作為硬件替代時(shí)，F(xiàn)M25V02A為串行EEPROM或閃存的用戶提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI總線，從而可以增強(qiáng)FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備包含一個(gè)只讀的設(shè)備ID，通過(guò)該ID，主機(jī)可以確定制造商、產(chǎn)品容量和產(chǎn)品版本。在–40℃到+85℃的工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)，該設(shè)備規(guī)范得到保證。 特性 ■256Kbit鐵電性隨機(jī)存儲(chǔ)器（FRAM）被邏輯組織為32K×8 ❐高耐久性：100萬(wàn)億（1014）次的讀/寫操作 ❐151年的數(shù)據(jù)保留時(shí)間 ❐NoDelay™寫操作 ❐高級(jí)高可靠性的鐵電工藝 ■非�？斓拇型庠O(shè)接口（SPI） ❐頻率高達(dá)40MHz ❐串行閃存和EEPROM的硬件直接替代 ❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1） ■精密的寫入保護(hù)方案 ❐使用寫保護(hù)（WP）引腳提供硬件保護(hù) ❐使用寫禁用指令提供軟件保護(hù) ❐可為1/4、1/2或整個(gè)陣列提供軟件模塊保護(hù) ■設(shè)備ID ❐制造商ID和產(chǎn)品ID ■低功耗 ❐頻率為40MHz時(shí)，有效電流為2.5mA ❐待機(jī)電流為150mA ❐睡眠模式電流為8mA ■工作電壓較低：VDD=2.0V到3.6V ■工業(yè)溫度范圍：–40℃~+85℃ ■封裝 ❐8引腳小外型集成電路（SOIC）封裝 ❐8引腳扁平無(wú)引腳（DFN）封裝 ■符合有害物質(zhì)限制（RoHS） 封裝引腳 FM25V02A是一種采用先進(jìn)鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲(chǔ)器。FRAM是非易失性的，執(zhí)行類似于ram的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時(shí)消除了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲(chǔ)器引起的復(fù)雜性、開(kāi)銷和系統(tǒng)級(jí)可靠性問(wèn)題。 |
