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場效應管廣泛使用在模擬電路中與數字電路中，和我們的生活密不可分。場效應管的優勢在于：首先驅動電路比較簡單。場效應管需要的驅動電流比BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路；某次場效應管的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外場效應管沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性能。場效應管已經得到了大量應用，在消費電子、工業產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。 惠海半導體MOS管采用SGT工藝，性能優越，品質好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內阻、結電容小、低消耗、低溫升、高轉換效率、過電流大、抗沖擊能力強、開關損耗小等的優點。 【免費提供方案及技術支持，免費提供樣品測試~】 MOS管型號：HC020N03LD 東莞市惠海半導體有限公司-原廠直銷-研發-服務 參數：30V20A（20N03） 內阻：15mR（VGS=10V） 結電容：216pF 類型：SGT工藝NMOS 開啟電壓：1.6V 封裝：TO-252 東莞市惠海半導體有限公司 MOSFET選型表參考： |
