|
CYPRESS在包括汽車、工業、家庭自動化和家電、醫療產品和消費電子業務領域。主要向客戶提供市場領先的MCU、無線 SoC、存儲器、模擬IC和USB控制器的解決方案。在快速發展的物聯網領域獲得了優勢和橫跨傳統市場的業務覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。 FM25V20A-DGQTR功能介紹 FM25V20A-DGQTR是采用先進鐵電工藝的2Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了121年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。 與串行閃存和EEPROM不同，FM25V20A-DGQTR以總線速度執行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節成功傳輸到設備后，立即將數據寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數據輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產品具有顯著的寫入耐久性。FM25V20A-DGQTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1000萬倍的寫周期。 這些功能使FM25V20A-DGQTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應用，例如數據收集（可能是關鍵的寫入周期數）到要求嚴格的工業控制，而串行閃存或EEPROM的長時間寫入會導致數據丟失。 FM25V20A-DGQTR為串行EEPROM或閃存的用戶提供了可觀的好處，可作為硬件的替代產品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。該設備包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品版本。在–40℃至+105℃的擴展溫度范圍內保證器件的規格。 特征 ■邏輯組織為256K×8的2Mbit鐵電隨機存取存儲器（FRAM） •高耐用性10萬億（1014）讀/寫 •121年的數據保留 •NoDelay™寫道 •先進的高可靠性鐵電工藝 ■極快的SPI •高達33MHz的頻率 •直接更換串行閃存和EEPROM的硬件 •支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1） ■復雜的寫保護方案 •使用寫保護（WP）引腳進行硬件保護 •使用禁止寫入指令進行軟件保護 •適用于1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護 ■設備ID •制造商ID和產品ID ■低功耗 •在33MHz時有3.0mA有功電流 •400μA待機電流 •12μA睡眠模式電流 ■低壓操作：VDD=2.0V至3.6V ■擴展溫度：–40℃至+105℃ ■8引腳薄型雙扁平無引線（DFN）封裝 ■符合有害物質限制（RoHS） |
| FM25V20A-DGQTR是采用先進鐵電工藝的2Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了121年的可靠數據保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復雜性，開銷和系統級可靠性問題。 |
| FM25V20A-DGQTR為串行EEPROM或閃存的用戶提供了可觀的好處，可作為硬件的替代產品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術的高速寫入能力。該設備包含一個只讀的設備ID，該ID允許主機確定制造商，產品密度和產品版本。在–40℃至+105℃的擴展溫度范圍內保證器件的規格。 |
