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FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。 這些吸引人的特性是鋯鈦酸鉛（PZT）是其中一種材料的鐵電性能的結果。PZT具有鈣鈦礦晶體結構，中心有一個陽離子（見圖1）。該陽離子可以處于兩個位置之一，并且可以通過施加電場來切換位置。每個轉換都會產生“開關電荷”（Q s），可以將其讀取以表示邏輯1或0。 鐵電存儲器的操作與浮柵技術衍生的傳統可寫非易失性存儲器的操作完全不同，后者通過將電荷存儲在位單元中來工作。閃存或EEPROM存儲器使用電荷泵在芯片上產生高電壓（10 V或更高），并迫使電荷載流子通過柵極氧化物。這產生長的寫入延遲并且需要高的寫入功率，這對存儲單元具有破壞性。 相比之下，FRAM的寫入速度實際上是即時的-只需幾皮秒。由于持續時間短，該寫操作可由FRAM存儲芯片的固有電容供電。這意味著，一旦將數據提供給設備的引腳，就可以保證即使系統電源出現故障也可以存儲數據，并且無需電容器或任何其他外部電源。即時寫入速度還意味著板上無需高速緩沖SRAM或DRAM存儲器（見圖2）。 圖2：FRAM的快速寫入速度可保護使用EEPROM設備時可能丟失的關鍵數據。（來源：賽普拉斯半導體） 鐵電原理也具有無限的耐力。例如cypress半導體公司的Excelon-Auto FRAM存儲設備的額定寫入周期為100萬億次。這足以使其在20年內每10 μs記錄一次數據，而無需使用復雜的磨損均衡軟件。 有效的汽車EDR實施將配對具有2 Mb或4 Mb密度的無限耐久性FRAM器件和高密度閃存。存儲器通常將配置為連續存儲最新的1到5 s的數據，而閃存陣列用于批量存儲較舊的數據。對于Excelon-Auto設備，有一個串行外圍設備接口，它使用標準的非易失性命令進行配置以及讀寫操作。cypress代理商可提供相關產品技術支持。 |
