低功耗SRAM存儲器EMI501NL16LM-55I完美替換IS63WV1288DBLL-10JLI

發布時間：2021-5-12 15:02 發布者：英尚微電子

ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態SRAM。該產品使用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合，可產生更高性能和更低功耗的設備。當CE為高電平（取消選擇）時，器件采用待機模式，在這種模式下，利用CMOS輸入電平，功耗可降至25 μW（典型值）。IS63WV1288DBLL由單個Vdd電源供電。下面介紹一款可用于替換此款型號的國產EMI SRAM EMI501NL16LM-55I。

EMI501NL16LM-55I是由EMI制造的先進的完整CMOS工藝技術所制造出來的。支持低數據用于電池備用操作的保持電壓低數據保持電流。該型號同時也支持工業溫度范圍和芯片級封裝，可為用戶提供系統靈活性設計。EMI代理支持提供樣品支持及技術解決方案。

特征
●工藝技術：全CMOS
●位寬：64Kx 16位
●電源電壓：2.7V〜3.6V
●低數據保持電壓：1.5V（最小值）
●三態輸出和TTL兼容
●標準封裝44TSOP2,48BGA
●工業操作溫度

關于EMI
EMI公司是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場（Niche market）專用芯片/小型SOC芯片及整體解決方案，主要產品涉及千兆/萬兆USB網口芯片和SRAM存儲芯片以及音視頻接口芯片。提供創新、高品質、高性價比、供貨持續穩定的芯片，并通過提供軟硬件Turnkey solution，降低客戶研發難度，縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。

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