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電動工具應(yīng)用32位MCU系列MM32SPIN160C

發(fā)布時間:2020-12-31 16:05    發(fā)布者:英尚微電子
關(guān)鍵詞: MM32SPIN160C , 國產(chǎn)32位MCU
靈動微MM32SPIN160C采用高性能為內(nèi)核為M0的32位微控制器,5V輸出的LDO穩(wěn)壓器、三組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動器。MCU的工作頻率最高可達(dá)72兆赫茲,內(nèi)置SRAM高速存儲器,豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。MM32SPIN160C產(chǎn)品包含1個12位的ADC、1個比較器、1個16位通用定時器、1個32位通用定時器、3個16位基本定時器、1個16位高級定時器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口:1個I2C接口、1個SPI接口和1個UART接口。MM32SPIN160C產(chǎn)品提供QFN32封裝形式,該產(chǎn)品適合于三相永磁無刷電機(jī)和電動工具等多種應(yīng)用場合。靈動微電子代理廠商可提供產(chǎn)品應(yīng)用解決方案支持.

MM32SPIN160C特征
•內(nèi)核與系統(tǒng)
–32位ARM®Cortex®-M0處理器內(nèi)核
–最高工作頻率可達(dá)72MHz
–單指令周期32位硬件乘法器
–硬件除法器(32Bit)
–單指令周期32位硬件乘法器
•存儲器
–高達(dá)32K字節(jié)的閃存程序存儲器
–高達(dá)4K字節(jié)的SRAM
•時鐘、復(fù)位和電源管理
–2.0V~5.5V供電
–上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測器(PVD)
–外部2~24MHz高速晶體振蕩器
–內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48/72MHz高速振蕩器
–內(nèi)嵌40KHz低速振蕩器
•低功耗
–睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式
• 5V LDO 穩(wěn)壓器
– 輸入電壓最高13.5V
• 三組N 型半橋式柵極驅(qū)動器(GATE-DRIVER)
– 三相柵極驅(qū)動器
– 支持電壓UVLO 保護(hù)
– 1A/1A SINK/SOURCE 三相柵極驅(qū)動電流
• 96 位的芯片唯一ID(UID)
• 采用QFN32 封裝

MM32SPIN160C引腳


內(nèi)置的SRAM
內(nèi)置最大可到4K字節(jié)的靜態(tài)SRAM。
它可以以字節(jié)(8位)、半字(16位)或字(32位)進(jìn)行訪問。SRAM起始地址為0x20000000。
•數(shù)據(jù)總線上最大可到2K字節(jié)的SRAM?梢员籆PU或者DMA用最快的系統(tǒng)時鐘且不
插入任何等待進(jìn)行訪問。

閃存主要特性
•高達(dá)32K字節(jié)閃存存儲器
閃存接口的特性為:
•帶預(yù)取緩沖器的數(shù)據(jù)接口(2×64位)
•選擇字節(jié)加載器
•閃存編程/擦除操作
•訪問/寫保護(hù)
•低功耗模式

FLASH讀操作
嵌入式Flash模塊可以像普遍存儲空間一樣直接尋址訪問。任何對Flash模塊內(nèi)容的讀操作都須經(jīng)過專門的判斷過程。
取指令和取數(shù)據(jù)都是通過AHB總線讀取訪問,能夠按照Flash訪問控制寄存器(FLASH_ACR)中得選項所指定的方式執(zhí)行:
•取指:預(yù)取值緩沖區(qū)使能后可提高CPU運行速度
•潛伏期:等待位的個數(shù),保證正確的讀取。



規(guī)格書下載
DS_MM32SPIN160C_qa_V1.01_SC.pdf (2.24 MB)
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英尚微電子 發(fā)表于 2020-12-31 16:06:25
FLASH讀操作
嵌入式Flash模塊可以像普遍存儲空間一樣直接尋址訪問。任何對Flash模塊內(nèi)容的讀操作都須經(jīng)過專門的判斷過程。
取指令和取數(shù)據(jù)都是通過AHB總線讀取訪問,能夠按照Flash訪問控制寄存器(FLASH_ACR)中得選項所指定的方式執(zhí)行:
•取指:預(yù)取值緩沖區(qū)使能后可提高CPU運行速度
•潛伏期:等待位的個數(shù),保證正確的讀取。
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