|
MM32SPIN120B使用高性能的內(nèi)核為M0的國(guó)產(chǎn)32位MCU，工作頻率可高達(dá)72MHz，內(nèi)置Flash高速存儲(chǔ)器，具有豐富的增強(qiáng)型I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。MM32SPIN120B包含1個(gè)12位的ADC、1個(gè)比較器、1個(gè)16位通用定時(shí)器、1個(gè)32位通用定時(shí)器、3個(gè)16位基本定時(shí)器、1個(gè)16位高級(jí)定時(shí)器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口：1個(gè)I2C接口、2個(gè)SPI接口和1個(gè)UART接口。 MM32SPIN120B內(nèi)嵌兩組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，提供QFN32封裝形式，適合于單相永磁無(wú)刷電機(jī)和快速無(wú)線充電等多種應(yīng)用場(chǎng)合。靈動(dòng)微一級(jí)代理提供免費(fèi)開(kāi)發(fā)板測(cè)試及技術(shù)支持. MM32SPIN120B產(chǎn)品特性 •內(nèi)核與系統(tǒng) –32位ARM®Cortex®-M0處理器內(nèi)核 –最高工作頻率可達(dá)72MHz –單指令周期32位硬件乘法器 •兩組N型半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器(GATE-DRIVER) –工作電壓范圍：4.5V~15V –二相柵極驅(qū)動(dòng)器 –驅(qū)動(dòng)能力：5000pF負(fù)載，上升時(shí)間與下降時(shí)間為75ns –UVLO保護(hù) –上下橋短路自動(dòng)保護(hù)功能 •存儲(chǔ)器 –高達(dá)32K字節(jié)的閃存程序存儲(chǔ)器 –高達(dá)4K字節(jié)的SRAM •時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理 –2.0V~5.5V供電 –上電/斷電復(fù)位（POR/PDR）、可編程電壓監(jiān)測(cè)器（PVD） –外部2~24MHz高速晶體振蕩器 –內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48/72MHz高速振蕩器 –內(nèi)嵌40KHz低速振蕩器 •低功耗 –睡眠、停機(jī)和待機(jī)模式 •1個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，1μS轉(zhuǎn)換時(shí)間（多達(dá)8個(gè)輸入通道） –轉(zhuǎn)換范圍：0~VDDA –支持采樣時(shí)間和分辨率配置 –片上溫度傳感器 –片上電壓傳感器 •1個(gè)比較器 •5通道DMA控制器 –支持的外設(shè)：Timer、UART、I2C、SPI和ADC •多達(dá)16個(gè)快速I/O端口： –所有I/O口可以映像到16個(gè)外部中斷 –所有端口均可輸入輸出5V信號(hào) •調(diào)試模式 –串行單線調(diào)試（SWD） •多達(dá)9個(gè)定時(shí)器 –1個(gè)16位4通道高級(jí)控制定時(shí)器，有4通道PWM輸出，以及死區(qū)生成和緊 急停止功能 –1個(gè)16位定時(shí)器和1個(gè)32位定時(shí)器，有高達(dá)4個(gè)輸入捕獲/輸出比較，可用 于IR控制解碼 –2個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較和1個(gè)OCN，死區(qū)生成，緊急停止，調(diào)制器門電路用于IR控制 –1個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較 –2個(gè)看門狗定時(shí)器（獨(dú)立的和窗口型的） –1系統(tǒng)時(shí)間定時(shí)器：24位自減型計(jì)數(shù)器 •多達(dá)4個(gè)通信接口 –1個(gè)UART接口 –1個(gè)I2C接口 –2個(gè)SPI接口 •96位的芯片唯一ID（UID） •采用QFN32封裝 MM32SPIN120B引腳定義 低功耗模式 產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。 睡眠模式 在睡眠模式，只有CPU停止，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷/事件時(shí)喚醒CPU。 停機(jī)模式 在保持SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機(jī)模式可以達(dá)到最低的電能消耗。在停機(jī)模式下，HSI的振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉。可以通過(guò)任一配置成EXTI的信號(hào)把微控制器從停機(jī)模式中喚醒，EXTI信號(hào)可以是16個(gè)外部I/O口之一、PVD的輸出的喚醒信號(hào)。 待機(jī)模式 待機(jī)模式可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最低功耗。該模式是在CPU深睡眠模式時(shí)關(guān)閉電壓調(diào)節(jié)器。內(nèi)部所有的1.5V部分的供電區(qū)域被斷開(kāi)。HSI和HSE振蕩器也都關(guān)閉,可以通過(guò)WKUP引腳的上升沿、NRST引腳的外部復(fù)位、IWDG復(fù)位喚醒或者看門狗定時(shí)器喚醒不復(fù)位。SRAM和寄存器的內(nèi)容將被丟失。 關(guān)于靈動(dòng)微 上海靈動(dòng)微電子是國(guó)內(nèi)專注于MCU產(chǎn)品與應(yīng)用方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，是中國(guó)工業(yè)及信息化部和上海市信息化辦公室認(rèn)定的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，同時(shí)也是上海市認(rèn)定的高新技術(shù)企業(yè)。自2011年3月成立至今，靈動(dòng)微電子已經(jīng)成功完成數(shù)百余MCU產(chǎn)品的設(shè)計(jì)及推廣，靈動(dòng)微電子目前已批量供貨的基于ARM Cortex-M0及Cortex-M3 內(nèi)核的MCU產(chǎn)品包括：針對(duì)通用高性能市場(chǎng)的MM32F系列，針對(duì)超低功耗及安全應(yīng)用的MM32L系列，具有多種無(wú)線連接功能的MM32W系列，電機(jī)及電源專用的MM32SPIN系列，以及OTP型的MM32P系列等，以滿足客戶及市場(chǎng)多領(lǐng)域、多層次的豐富應(yīng)用場(chǎng)景需求。 規(guī)格書下載 
DS_MM32SPIN120B_qa_V1.04_SC.pdf
(1.84 MB)
|
|
低功耗模式 產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。 睡眠模式 在睡眠模式，只有CPU停止，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷/事件時(shí)喚醒CPU。 停機(jī)模式 在保持SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機(jī)模式可以達(dá)到最低的電能消耗。在停機(jī)模式下，HSI的振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉。可以通過(guò)任一配置成EXTI的信號(hào)把微控制器從停機(jī)模式中喚醒，EXTI信號(hào)可以是16個(gè)外部I/O口之一、PVD的輸出的喚醒信號(hào)。 待機(jī)模式 待機(jī)模式可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最低功耗。該模式是在CPU深睡眠模式時(shí)關(guān)閉電壓調(diào)節(jié)器。內(nèi)部所有的1.5V部分的供電區(qū)域被斷開(kāi)。HSI和HSE振蕩器也都關(guān)閉,可以通過(guò)WKUP引腳的上升沿、NRST引腳的外部復(fù)位、IWDG復(fù)位喚醒或者看門狗定時(shí)器喚醒不復(fù)位。SRAM和寄存器的內(nèi)容將被丟失。 |
| MM32SPIN120B內(nèi)嵌兩組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，提供QFN32封裝形式，適合于單相永磁無(wú)刷電機(jī)和快速無(wú)線充電等多種應(yīng)用場(chǎng)合。靈動(dòng)微一級(jí)代理提供免費(fèi)開(kāi)發(fā)板測(cè)試及技術(shù)支持. |
