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第四代N溝道器件降低導通和開關損耗，提高能效 Vishay 推出最新第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。Vishay Siliconix n溝道SiHH070N60EF導通電阻比其前代器件低29 %，為通信、工業、計算和企業級電源應用提供高效解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數（FOM）創業界新低。 
Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。隨著SiHH070N60EF的推出，以及即將發布的第四代600 V EF系列產品，Vishay可滿足電源系統架構設計前兩個階段提高能效和功率密度的要求—包括圖騰柱無橋功率因數校正（PFC）和軟切換DC/DC轉換器拓撲結構。 SiHH070N60EF基于Vishay最新高能效E系列超結技術，10 V條件下典型導通電阻僅為0.061 Ω，超低柵極電荷降至50 nC。器件的FOM為3.1 Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低30 %。這些參數表明導通和開關損耗降低，從而節省能源。SiHH070N60EF有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別僅為90 pf和560 pF，可改善零電壓開關（ZVS）拓撲結構開關性能，如LLC諧振轉換器。器件的Co(tr) 比同類緊隨其后的MOSFET低32 %。 日前發布的器件采用PowerPAK 8x8封裝，符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。 SiHH070N60EF現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為10周。 |
