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Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand Flash兩大類。 Nor Flash Nor Flash的特點是芯片內執行(XIP )，應用程序可以直接在內存Flash內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。Nor Flash的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益。 Nand Flash Nand Flash的結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較復雜。 非易失性存儲器–Nor Flash Nor Flash根據數據傳輸的位數可以分為并行和串行，并行Nor Flash每次傳輸多個bit位的數據;而串行Nor Flash每次傳輸一個bit位的數據。并行Nor Flash比串行Nor Flash具有更快的傳輸速度。 串行Nor Flash 主要接口有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。 并行Nor Flash 主要接口有8位、16位、8位/16位可選的數據傳輸方式。 非易失性存儲器-Nor Flash特點 特點:Nor Flash是非易失存儲,一般用于程序代碼存儲 主推容量256Kb-512Mb 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。 并行:MCU需帶外部總線,速度快,內部無FLASH等 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺上 非易失性存儲器-Nand Flash特點 特點:容量大，寫速度快等優點適用于大數據的存儲 主推容量512Mb-8Gb 并行:MUC帶外部存儲控制器、數據量大、速度快 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小 Flash的應用 Nor Flash與Nand Flash的區別 NOR 1.讀速度快，寫速度慢 2擦除速度慢 3.擦除次數約10萬次 4.容量小256Kb-512Mb 5.單位容量價格高，適用于小容量程序存儲 6.不易產生壞塊 NAND 1.讀速度慢，寫速度快 2.擦除速度快（( 1000:1) 3.擦除次數約100萬次 4.容量大512Mb-8Gb 5.單位容量價格低，適用于大容量數據存儲 6.較易產生壞塊，需ECC校驗 |
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非易失性存儲器-Nor Flash特點 特點:Nor Flash是非易失存儲,一般用于程序代碼存儲 主推容量256Kb-512Mb 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應用十分廣泛。 并行:MCU需帶外部總線,速度快,內部無FLASH等 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺上 |
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易失性存儲器-Nand Flash特點 特點:容量大，寫速度快等優點適用于大數據的存儲 主推容量512Mb-8Gb 并行:MUC帶外部存儲控制器、數據量大、速度快 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小 |
