|
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等。 新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3雙器件在每一個封裝上都配備了一對功率MOSFET， 提供共汲極和半橋拓?fù)涞撵`活性。這些器件利用IR最新的低壓硅技術(shù) (N和P) 來實現(xiàn)超低損耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2 的范圍內(nèi)，配備了兩個典型導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 均為33mΩ的MOSFET。 
這個雙PQFN系列包括專為高側(cè)負(fù)荷開關(guān)優(yōu)化的P通道器件，可提供更為簡便的驅(qū)動解決方案。這些器件的封裝厚度不到1 mm，與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)相兼容，并且擁有符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的占位空間，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。 產(chǎn)品規(guī)格
有關(guān)產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)和MOSFET產(chǎn)品選型工具請瀏覽IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。 |
