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東芝推出采用其最新一代工藝的80V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率

發(fā)布時間:2020-3-31 10:10    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: N溝道 , 功率MOSFET
–進一步擴展U-MOS X-H功率MOSFET系列產(chǎn)品線–

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H系列”產(chǎn)品線新增采用其最新一代工藝制造而成的80V N溝道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備的開關(guān)電源


U-MOS X-H系列產(chǎn)品示意圖

新增產(chǎn)品包括采用表面貼裝SOP Advance封裝的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封裝的“TPN19008QM”。產(chǎn)品于今日開始出貨。

由于采用了其最新一代的工藝制造技術(shù),與當(dāng)前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V產(chǎn)品相比,新款80V U-MOS X-H產(chǎn)品的漏源導(dǎo)通電阻降低了大約40%。通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu),漏源導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性之間的平衡也得到了進一步的改善。因此,新產(chǎn)品可提供業(yè)界最低功耗。

東芝正在擴展其降耗型產(chǎn)品線,從而為降低設(shè)備功耗提供幫助。

應(yīng)用:
  • 開關(guān)電源(高效AC-DC轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等)
  • 電機控制設(shè)備(電機驅(qū)動等)

特性:
  • 業(yè)界最低功耗(通過改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷特性之間的平衡)
  • 業(yè)界最低導(dǎo)通電阻:
                RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
                RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
  • 高額定通道溫度:Tch=175℃

主要規(guī)格:
(除非另有說明,@Ta=25℃)

器件型號
TPH2R408QMTPN19008QM
絕對
漏源電壓VDSS(V)
8080
最大漏極電流(DC)ID(A)@Tc=25℃12034
額定值
通道溫度Tch(℃)
175175
電氣漏源導(dǎo)通電阻@VGS=10V2.4319
特性RDS(ON)最大值(mΩ)@VGS=6V3.528
 
總柵極電荷(柵源+柵漏)
8716
 
Qg典型值(nC)
 
柵極開關(guān)電荷Qsw典型值(nC)
285.5
 
輸出電荷Qoss典型值(nC)
9016.5
 
輸入電容Ciss典型值(pF)
58701020
封裝
名稱
SOP AdvanceTSON Advance
尺寸典型值(mm)
5.0×6.03.3×3.3
庫存查詢與購買
在線購買在線購買


如需了解相關(guān)東芝12-300V MOSFET產(chǎn)品線的更多信息,請訪問以下網(wǎng)址:
https://toshiba-semicon-storage. ... v-300v-mosfets.html

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TPH2R408QM
https://toshiba-semicon-storage. ... eck.TPH2R408QM.html
TPN19008QM
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