碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
這些新器件能夠提供新級別的高壓電源性能，適用于快速增長的數(shù)據(jù)中心服務器電源、5G基站電信整流器以及電動汽車車載充電器等應用。這些新器件將對設(shè)計工程師具有極大吸引力，他們?nèi)匀幌矚g采用3引腳，TO220或D2PAK封裝選項，但同時也在努力提高功率因數(shù)校正電路、LLC諧振轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的功率性能。 UnitedSiC的UJ3C和UF3C FET產(chǎn)品系列的獨特之處在于其真正的“直接替代”功能。設(shè)計人員通過采用UnitedSiC FET替換已有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或硅超級結(jié)器件，即可顯著提高系統(tǒng)性能，而無需改變柵極驅(qū)動電壓。 兩個系列的SiC FET均基于UnitedSiC獨特的“共源共柵”電路配置，其中常開（normally-on）SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，可構(gòu)建出具有標準柵極驅(qū)動特性的常關(guān)（normally-off）SiC FET器件。因此，現(xiàn)有系統(tǒng)在采用UnitedSiC“直接替代”FET升級后將具有很大性能提升，實現(xiàn)更低的導通和開關(guān)損耗，增強的熱性能和集成柵極ESD保護。如果是新設(shè)計，UnitedSiC FET可提供更高的開關(guān)頻率，從而帶來顯著的系統(tǒng)優(yōu)勢，能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，并可減小磁性元件和電容器等無源元件的尺寸和成本。 通過UnitedSiC的燒結(jié)銀（sintered-silver）封裝技術(shù)，行業(yè)標準的三引腳TO220-3L封裝能夠提供增強的熱特性。以這種封裝提供的新產(chǎn)品包括RDS（on）值為30和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS（on）規(guī)格為40mΩ的UF3C器件。 三引線行業(yè)標準D2PAK-3L封裝則針對表面貼裝而設(shè)計，并通過IPC和JEDEC的濕度靈敏度等級1（Moisture Sensitivity Level 1）認證。以該封裝提供的新產(chǎn)品包括RDS（on）規(guī)格為30mΩ和80mΩ的UJ3C器件，以及RDS（on）規(guī)格為30mΩ和40mΩ的UF3C器件。 UnitedSiC也可提供符合AEC-Q101標準的汽車級器件。 欲了解相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊和其他資源，請訪問：https://unitedsic.com/cascodes/。 價格和供貨信息 所有器件的單價依RDS（on）值而不同，以1,000片最小批量計算，對于D2PAK-3L封裝，器件的單價從5.18美元到14.35美元不等；而對于TO220-3L封裝，器件的單價為5.18美元至13.79美元。器件在Mouser和Richardson Electronics等UnitedSiC授權(quán)分銷商處有庫存。 |
