貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Qorvo的QPD1025L碳化硅 (SiC) 基氮化鎵 (GaN) 晶體管。QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW，是業界功率最高的碳化硅基氮化鎵 (GaN-on-SiC) 射頻晶體管，提供高信號完整性和長覆蓋距離，非常適合L波段航空電子設備和敵我識別 (IFF) 應用。
GaN技術卓越的性能和可靠性使其非常適合基礎設施、國防和航空航天應用，如雷達、通信、 導航以及類似的應用。其性能的增強讓設計師可以在提升系統性能的同時，靈活地節省電路板空間和系統成本。 貿澤供應的Qorvo QPD1025L是高電子遷移率晶體管 (HEMT)，同時支持脈沖波和連續波 (CW) 操作，以更高效地提供可與硅基LDMOS設備媲美的性能。該器件使用65 V電源軌供電，提供22.5 dB線性增益和 77.2%的典型功率附加效率 (PAE3dB)。QPD1025L晶體管提供內部輸入預匹配，簡化了外部板匹配，節省了電路板空間。 此款符合RoHS標準的無鉛晶體管具有配套的QPD1025L評估板。 有關QPD1025L晶體管的詳細信息，敬請訪問www.mouser.com/qorvo-qpd1025l-rf-transistors。 有關Qorvo氮化鎵射頻晶體管的詳細信息，敬請訪問www.mouser.com/qorvo-gan-rf-transistors。 |
