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UJ3C1200系列是一種直接更換的解決方案，無需改變柵極驅(qū)動電壓 功率因數(shù)校正（PFC）、主動前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）共源共柵（cascodes）來升級現(xiàn)有系統(tǒng)的性能。這些器件的電壓額定值為1200 V，導(dǎo)通電阻為80和40mΩ，能夠為許多現(xiàn)有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更換”替代解決方案，而無需改變柵極驅(qū)動電路。這簡化了設(shè)計升級，并為現(xiàn)有零部件提供了可替代采購來源。 對于功率因數(shù)校正、主動前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的終端應(yīng)用包括車載電動汽車（EV）充電器、叉車電池充電、光伏逆變器以及焊接等。 UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶體管技術(shù)，將一個碳化硅 JFET與定制設(shè)計的硅MOSFET集成在一起，憑借SiC JFET的速度、效率和高溫額定值，實(shí)現(xiàn)通常關(guān)運(yùn)行、高性能體二極管和MOSFET簡單柵極驅(qū)動的完美組合。因此，現(xiàn)有系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)性能提升，降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，提高熱性能，并集成有柵極ESD保護(hù)。在新設(shè)計中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供實(shí)質(zhì)性的系統(tǒng)優(yōu)勢，能夠提高開關(guān)頻率和效率，并可減小磁性元件和電容器等被動元件的尺寸和成本。 UnitedSiC將在PCIM 2018 ECOMAL歐洲展臺7-406上展示1200V FET系列產(chǎn)品。 UnitedSiC還將參加兩個小組討論： “未來5年電源制造商面臨的挑戰(zhàn)和機(jī)遇”-- 2018年6月5日（星期二）12：00 - 13：00，6展廳155號展位。 “碳化硅 – 面向未來設(shè)計的器件” --- 2018年6月6日（星期三），13:30 – 14:30, 6展廳155號展位。 有關(guān)UnitedSiC的更多信息，請訪問www.unitedsic.com。 價格和供貨 UJ3C1200系列碳化硅場效應(yīng)晶體管現(xiàn)已經(jīng)在授權(quán)分銷商處銷售，發(fā)貨數(shù)量最低為500件，起價為10.39美元。 主要優(yōu)勢 • 低Rdson：降低傳導(dǎo)損耗 • 靈活的柵極驅(qū)動：易于直接更換IGBT、硅或其他碳化硅MOSFET設(shè)計，或使用0V至12V簡單柵極驅(qū)動，節(jié)省BOM成本 • 低熱阻：允許更高的RMS電流，提供更多的輸出功率 • ESD保護(hù)：HBM Class 2級別保護(hù)，確保柵極上的過壓尖峰被鉗位 評論 UnitedSiC副總裁Anup Bhalla在談及新型SiC晶體管系列的優(yōu)勢時表示：“這些令人興奮的新器件能夠使設(shè)計人員采用SiC技術(shù)，而無需擔(dān)心柵極驅(qū)動器的復(fù)雜性。高性能體二極管和集成式柵極ESD保護(hù)為設(shè)計人員帶來更多附加值，同時幫助用戶獲得許多獨(dú)家供應(yīng)商部件的第二來源。” 技術(shù)資料 |
