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作者：Jeremy Correale，安森美半導體 目前市場上的多數硅ESD保護解決方案都是面向消費級電子器件設計的，但是ESD威脅也會使汽車電子器件設計師夜不成寐。令汽車電子設計師深感憂慮的不僅是“正�！钡腅SD狀況，其他汽車特定事件也是讓人寢食難安的一個重要原因，例如電池短路(STB)情況。 在裝配、維修或消費者在車內使用這些器件的過程中，都有可能發生汽車電池短路事件。在裝配和維修過程中，斷開或裸露的電池線有可能連接到任何接口，結果可能會損壞ESD保護器件。消費者使用過程中發生的電池短路事件的典型例子是，USB電纜掉進車載點煙器插座，把電池線電壓帶進接口線。汽車環境中存在12V電池網絡，這本身就會對車載ESD保護器件造成額外的負擔，因為這些器件需要應對有人有意或無意用電池線短接這些接口的情況。因此，如果在ESD威脅以外，接口還要承受這種電池短路狀況，主要用于消費級電子器件的5V常規擊穿ESD器件就不合適了。 安森美半導體開發的車規級ESD保護器件綜合考慮了關態電壓和限流能力，可以從容應對電池短路和接地短路(STG)事件。除這些特性外，該器件還能滿足高速ESD保護需求，比如對信號完整性至關重要的低插入損耗、高帶寬和超低電容等。 
ESD保護器件（如SZESD7361、SZESD7462、SZESD7102和SZESD1L001）的最低擊穿電壓為16V，可以承受最低9V、最高16V電池電壓下的汽車電池短路狀況。這些器件不但能提供低鉗位ESD保護，還擁有超低電容，能在GHz頻率范圍內運行。 NIV1161和NIV2161等器件擁有與前述器件相同的ESD保護硅芯片，同時集成了小信號MOSFET以實現限流功能，可為SoC提供電池短路和接地短路保護。這些集成式MOSFET具有低Rds(on)，適用于每秒吉比特高數據速率的應用。 |
