導通電阻最低的MOSFET器件SiZ710DT（Vishay）

發(fā)布時間：2010-11-16 15:45 發(fā)布者：嵌入式公社

關鍵詞： MOSFET

器件為業(yè)界首款采用PowerPAIR 6mmx3.7 mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET；在10V下具有低至3.3mΩ的低導通電阻，+70℃下的最大電流為24A

Vishay推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET - SiZ710DT，新器件比前一代器件的導通電阻減小43%，同時具有更高的最大電流并提高效率。SiZ710DT在一個小尺寸封裝中整合了低邊和高邊MOSFET，具有業(yè)界同類器件中最低的導通電阻，比DC-DC轉換器中使用兩個分立器件的方案能節(jié)省很多空間。

在PowerPAIR封裝出現(xiàn)之前，設計者只能使用兩個單獨的器件來達到系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC，以及筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務器和游戲機所需的低導通電阻和更高的最大電流。SiZ710DT的性能規(guī)格使設計者能用SiZ710DT比兩個分立 PowerPAK 1212-8 器件小1/3，或是比兩個分立SO-8 器件小2/3的一個器件完成設計，節(jié)省方案成本和空間，包括兩個分立MOSFET之間的PCB間隙和標注面積。此外，在更低電流和更低電壓應用中替換SO-8器件還可以提高效率。

一片PowerPAK 1212-8或SO-8的導通電阻可以分別低至5mΩ或4mΩ。然而，SiZ710DT的低邊Channel 2 MOSFET利用了非對稱結構在優(yōu)化空間上的效果，在10V和4.5V下的導通電阻低至3.3mΩ和4.3mΩ，在+25℃和+70℃下的最大電流為30A和24A。另外，高邊Channel 1 MOSFET的導通電阻也有改善，在10V和4.5V下分別為6.8mΩ和9.0mΩ。

由于兩個MOSFET已經(jīng)在PowerPAIR封裝內(nèi)部連接，布線變得更加簡單，同時也減小了PCB印制的寄生電感，提高了效率。此外，SiZ710DT的引腳進行了精心布置，輸入引腳排在一側，輸出引腳排在另一側。

器件通過Rg和UIS的所有測試，符合RoHS指令2002/95/EC，并滿足IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

器件規(guī)格表：

通道	VDS	VGS	RDS(ON) @ 10 V	RDS(ON) @ 4.5 V	Qg (typ)	ID @ TA = 25 °C	ID @ TA = 70 °C
1	20 V	± 20 V	6.8 mΩ	9.0 mΩ	6.9 nC	16 A	15 A
2	20 V	± 20 V	3.3 mΩ	4.3 mΩ	18.2 nC	30 A	24 A

新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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