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總投資300億元美元,紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地開工建

發(fā)布時間:2017-2-13 10:28    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 紫光 , 3D-NAND , 存儲芯片
來源:紫光集團

2月12日,總投資300億元美元的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地和總投資300億元人民幣的紫光IC國際城項目正式宣布開工。 據(jù)悉,紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目由紫光集團投資建設(shè),主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲芯片等,占地面積約1500畝。項目一期投資約100億美元,月產(chǎn)芯片10萬片。項目達產(chǎn)后,將有力地支撐我國在主流存儲器領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。除投資額高達300億美元的芯片工廠建設(shè)以外,紫光集團還將投資約300億人民幣建設(shè)配套的IC國際城,包含科技園、設(shè)計封裝產(chǎn)業(yè)基地、國際學校、商業(yè)設(shè)施、國際人才公寓等綜合配套設(shè)施。

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