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【文/ 觀察者網(wǎng)專欄作者 鐵流】 日前，中芯國際發(fā)布公告稱，臺積電前共同運營長蔣尚義將出任中芯國際獨立董事。在21日中芯國際公告蔣尚義出任其獨董后，有臺媒報道稱，臺積電前CEO、中華電信前董事長蔡力行將加盟紫光集團。緊接著，業(yè)界又傳出曾經(jīng)投奔三星的前臺積電資深研發(fā)處長梁孟松，已于第3季度離開三星，近期將投入中芯國際。 雖然紫光集團和蔡力行否認了媒體的報道，中芯國際也并沒有對梁孟松是否加盟做明確表態(tài)，但聯(lián)系之前紫光高薪聘請臺灣有“存儲教父”之稱的高啟明，很容易讓人聯(lián)想到中國大陸意圖從臺灣聘請人才發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。 重金網(wǎng)羅臺灣人才有用么 12月21日，中芯國際宣布委任蔣尚義博士為該公司第三類獨立非執(zhí)行董事，任期將至中芯明年股東會召開日為止。根據(jù)中芯與蔣尚義簽署的合約，蔣尚義將有權(quán)獲得4萬美元的年度現(xiàn)金酬金，以及187500股可供認購普通股和187500股受限制股。 蔣尚義在半導體行業(yè)工作40年，在臺積電工作期間主要負責技術(shù)研發(fā)，先后擔任過研發(fā)副總裁、共同首席營運長及董事長顧問等職，牽頭了0.25um、0.18um、0.15um、0.13um、90nm、65nm、40nm、28nm、20nm和16nm FinFET等關(guān)鍵節(jié)點的研發(fā)。在臺灣半導體工業(yè)界和臺積電的威望很高，一度是外界呼聲最高、最看好的接班人選，對技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展有非常深刻的理解。 
蔣尚義 就在中芯國際公布蔣尚義博士任獨立非執(zhí)行董事后不久，臺灣媒體報道臺積電前CEO、中華電信前董事長蔡力行將加盟紫光集團。不過，紫光集團明確否認了這一傳聞，并表示與蔡力行并沒有進行什么實質(zhì)性接觸。蔡力行本人也表示，“并無此事，謝謝關(guān)心”。 隨后，業(yè)界又傳出前臺積電資深研發(fā)處長梁孟松已于第3季度離開三星，近期將加入中芯國際。梁孟松是何許人？他曾是臺積電在半導體先進制程模組開發(fā)方面的悍將，臺積電的28nm制造工藝就和梁孟松參與研發(fā)的多項專利有關(guān)。雖然在美國專利局的資料庫里梁孟松個人參與發(fā)明的專利半導體技術(shù)只有181件，但由于其參與的都是最重要先進制程的技術(shù)研發(fā)，掌握或接觸過不少臺積電的關(guān)鍵技術(shù)。 在2006年蔣尚義退休后，梁孟松原本以為升遷有望，沒想到臺積電從Intel挖來了羅唯仁，同時，孫元成被提拔為研發(fā)副總經(jīng)理，而梁孟松則被調(diào)為基礎架構(gòu)的專案處長……他選擇三星，正是因為職場不順，加上三星的高薪聘請——三星開的條件是：在臺積電十年能賺到的錢，在三星三年就能賺到。此外，三星還出動行政專機，專門搭載梁孟松及一同被挖走的幾十名臺積電員工往返臺灣和韓國。之后，三星和臺積電因挖走梁孟松并把技術(shù)帶到三星打了長達4年的官司……
那么，中國大陸企業(yè)高薪挖人的做法有用么？從實踐上看，三星在挖走梁孟松后，在45、32、28nm制造工藝上縮小了與臺積電的距離，在14nm制造工藝上三星堪稱大躍進，更是憑此斬獲了蘋果和高通的訂單，臺積電董事長張忠謀也公開承認16nm技術(shù)被三星超前，以致臺積電股價一度大跌。 雖然梁孟松掌握的技術(shù)究竟對三星14nm FinFET制程有多大貢獻我們不得而知，但2015年量產(chǎn)的16/14nm FinFET產(chǎn)品比較相似——在訴訟中，臺積電提交的《臺積電、三星、IBM產(chǎn)品關(guān)鍵制程結(jié)構(gòu)分析比對報告》中指出：臺積電幾項如指紋般獨特且難以模仿的技術(shù)特征皆遭三星模仿。 因此，高薪挖人的做法是行之有效的。因為技術(shù)是跟著人走的，特別是蔣尚義這樣的人才，不僅對產(chǎn)業(yè)理解非常深刻，而且有非常深厚的人脈，對中芯國際的發(fā)展有積極作用。 “派了個人過來看住中芯”未免多慮 雖然有讀者稱，“怎么看都像是臺積電派了個人過來看住中芯，免得中芯超過臺積電”，但筆者認為這種想法未免多慮了。中芯國際由張汝京在2000年創(chuàng)辦，最初的技術(shù)骨干不少是和張汝京一同來大陸的臺灣籍員工，之后更是因為專利糾紛與臺積電發(fā)生訴訟。 2011年，因長期積累的臺灣籍員工自命高人一等，歧視大陸員工，導致臺干和陸干之間矛盾尖銳無法調(diào)和，并以人事斗爭的方式爆發(fā)。最終，臺籍高管在這次人事爭斗中失勢，大唐電信控股中芯國際，中芯國際也隨之打上了國企的烙印（混合所有制）。 在2014年國家成立集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金后，中芯國際也得到了大基金的扶持，已連續(xù)在上海、天津、深圳三地宣布擴產(chǎn)計劃，其中在上海和深圳啟動建設300毫米晶圓生產(chǎn)線，深圳廠預計2017年底投產(chǎn)，目標產(chǎn)能為每月4萬片晶圓。2015年中芯國際、華為、高通、比利時微電子研究中心在人民大會堂舉行簽約儀式，宣布共同投資組建中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司，開發(fā)下一代CMOS邏輯工藝。 近日，紫光集團增持中芯國際5000萬港元股份，持股比率升至7％左右，已然成為中芯國際的第3大股東，持股比例僅次于大唐電信和中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。 從中可見，中芯國際不僅得到了國家的扶持，也被紫光集團這樣的投資人看好，更獲得了比利時微電子研究中心的技術(shù)支持，從長遠來看，前景是比較好的。但是就現(xiàn)在而言，中芯國際和臺積電的差距還是非常大的，以2015年的統(tǒng)計數(shù)據(jù)來看：
中芯國際的市場占有率為4.6%，位列第五，而臺積電的市場占有率為54.3%，是中芯國際的約13倍，在營業(yè)收入上同樣是中芯國際的13倍左右，雖然中芯國際的增長很高，但這一方面固然有中芯國際自身的努力，但另一方面也有國家扶持的因素，比如發(fā)改委對高通反壟斷后，高通將部分中低端芯片訂單給了中芯國際。 在2016年，中芯國際先后宣布14nm制程將在2018年投產(chǎn)，以及2016年投資金額提升至25億美元，雖然這兩項指標都超過了聯(lián)電，但從一些細節(jié)數(shù)據(jù)上，和臺積電、聯(lián)電依舊是有差距的。在2016年，臺積電營業(yè)收入的54%是來自于40nm及以下制程技術(shù)，格羅方德的比例為48%，聯(lián)電為18%，中芯國際僅有2%。不過，必須指出的是，2016年中芯國際40納米以下制程的營收規(guī)模是2015年的23倍，雖然差距較大，但中芯國際從未停止追趕的腳步。 從上述數(shù)據(jù)可以看出，中芯國際已經(jīng)得到國家的大力扶持和社會資本青睞，并快速發(fā)展，但和臺積電依舊有很大差距。無論從技術(shù)上看還是從商業(yè)上看，中芯國際都對臺積電無法構(gòu)成威脅，也就沒有所謂“派了個人過來看住中芯”的必要性。 將目標瞄準聯(lián)電更加實際 目前，中芯國際還無法和臺積電相提并論，即便與排名第四的三星相比，在技術(shù)上也存在差距，畢竟三星在2015年就已經(jīng)掌握了14nm FinFET工藝并商業(yè)化量產(chǎn)，而中芯國際直到今年才實現(xiàn)28nm HKMG工藝商業(yè)化量產(chǎn)，在制造工藝上與三星差了2代。 格羅方德雖然集合了美國AMD、IBM的晶圓廠和新加坡特許半導體（IBM將晶圓廠賣給格羅方德還倒貼了15億美元），但在近年來連年虧損——2013年虧損9億美元，2014年虧損15億美元，2015年虧損13億美元，2016年上半年虧損13.5億美元……格羅方德大股東穆巴達拉發(fā)展公司（阿聯(lián)酋阿布達比先進技術(shù)投資公司）也大感吃不消，甚至有傳言稱要賣給中國大陸企業(yè)。 在技術(shù)上，也許是因為IBM等公司的遺產(chǎn)，還是其他一些原因，格羅方德一直沒有放棄研發(fā)SOI工藝，格羅方德宣稱：22nm FD-SOI工藝功耗比28nm HKMG降低了70%；芯片面積比28nm Bulk縮小了20%；光刻層比FinFET工藝減少接近50%，芯片成本比16/14nm低了20%。 可惜Intel和臺積電選擇了FinFET，這直接導致FinFET成為了主流，SOI工藝則有被邊緣化的趨勢，只能在傳感器和射頻芯片等方面尋找立足之地。而在14nm FinFET上格羅方德選擇了購買三星的技術(shù)授權(quán)。在前不久，格羅方德更是宣布跳過10 nm制程，著手7 nm制程研發(fā)。這些做法使外界對格羅方德的技術(shù)研發(fā)能力產(chǎn)生疑慮，加上商業(yè)上的連年虧損，使不少人并不看好格羅方德的前景。長遠來看，格羅方德未必會成為中芯國際的對手——也許中芯國際還未成長壯大，格羅方德就已日薄西山了。
聯(lián)電 相對于有“舉國體制”護體的三星和前景不明的格羅方德，中芯國際將目標對準聯(lián)電更加合適，畢竟兩家企業(yè)掌握28nm制造工藝的時間較為相近，而且聯(lián)電還在廈門設立了12寸晶圓廠。今年11月16日，聯(lián)電于廈門設立的12寸合資晶圓廠已開始商業(yè)化量產(chǎn)，采用廈門廠40nm制程的通訊芯片產(chǎn)品良率逾99%。 另外，雖然合同上簽的是40nm制程，但聯(lián)電希望能將28nm制程導入大陸。不過，因為臺灣當局要求的“N-1代”代差限制，加上聯(lián)電14納米制程在中國臺灣地區(qū)尚未量產(chǎn)，因此未能如愿將28nm制程導入大陸。 由于聯(lián)電在技術(shù)上與中芯國際較接近，而且合資企業(yè)有可能分享政策紅利，加上聯(lián)電早年在大陸設立和艦科技和已在廈門商業(yè)量產(chǎn)的12寸晶圓廠，以及中芯國際的大部分營收還是來自40nm以上制程技術(shù)，聯(lián)電可能會是中芯國際最直接的競爭對手，相對于高高在上的臺積電和技術(shù)領先并可以垂直整合的三星，及前景不明的格羅方德，將聯(lián)電定位為追趕的目標相對而言更加切合實際。 （作者微信公眾號：tieliu1988） |
