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Qorvo發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵（GaN）芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達和國防RF系統(tǒng)應用而言甚為關(guān)鍵。 該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵（SiC）工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達25 GHz，支持芯片級設計，通過K頻段應用提供頻率更高且經(jīng)濟高效的分立式技術(shù)。 Qorvo高性能解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Roger Hall表示：“高性能GaN產(chǎn)品、互補模塊和專業(yè)的應用工程支持有機結(jié)合，使得Qorvo脫穎而出。我們幫助設計人員將產(chǎn)品加速推向市場。” 支持迅速、準確的性能測試并加速生產(chǎn)就緒過程的線性、非線性以及噪聲模型由我們的合作伙伴、仿真技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Modelithics, Inc.提供。這些模型提供的功能包括擴展工作電壓、環(huán)境溫度和自熱效應，以及針對波形優(yōu)化的固有電壓/電流節(jié)點訪問。 下表簡要介紹了QGaN15產(chǎn)品的特性。 10GHz時的數(shù)據(jù)：
Qorvo是國防和有線行業(yè)的領(lǐng)先GaN RF供應商*。自1999年起，Qorvo 就一直在推動GaN研究和創(chuàng)新，提供經(jīng)過檢驗的GaN電路可靠性和緊湊型、高效率產(chǎn)品。Qorvo于2014年完成了美國國防生產(chǎn)法案第三法令的GaN on SiC計劃，是獲得國防制造電子機構(gòu)認證的1A類可信來源。公司還是唯一一家達到制造成熟度（MRL）9級的GaN供應商。Qorvo一直推動GaN產(chǎn)品的下一代系統(tǒng)創(chuàng)新（從直流到Ka頻段），憑借其可靠的性能、低維護和長運行壽命，成功實現(xiàn)從工廠到現(xiàn)場的轉(zhuǎn)變。 |
