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英飛凌發布OptiMOS 5 150V產品,大幅降低導通電阻和反向恢復電荷

發布時間:2016-10-19 11:10    發布者:eechina
關鍵詞: OptiMOS , 功率MOSFET
英飛凌科技股份公司發布針對高能效設計和應用的OptiMOS 5 150 V產品組合。該產品家族進一步壯大了行業領先的最新一代OptiMOS 5功率MOSFET的陣容。新的150 V產品家族專門針對要求低電荷、高功率密度和高耐受性的高性能應用而優化。它是英飛凌面向低壓馬達驅動、通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太陽能電源優化器等系統解決方案的重要組成部分之一。

更環保的技術


英飛凌堅持不懈地研發適用于高能效設計的產品,以幫助減少全球二氧化碳排放。OptiMOS 5 150 V有助于實現這一目標,它可以降低電信設備能耗,或者改善電動汽車的功率和續航里程。

與它的下一代最佳替代產品相比,采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。在導通電阻相同的情況下,該產品家族的FOMg比上一代產品優化了高達29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代產品SuperSO8低72%——增強了通流耐受性。該產品家族的另一個杰出特性是其更出色的EMI性能。

更多信息請訪問:http://www.infineon.com/OptiMOS5-150V




采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150 V可以將導通電阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封裝僅次于它的替代產品低72%——增強了通流耐受性。

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