意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）的槽柵結構低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產品線，可協助電信、服務器和臺式PC機的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的直流－直流（DC/DC）電源轉換器達到嚴格的能效標準要求，最大限度提升電源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能，還簡化了通道間的槽柵結構（trench-gate structure），實現極低的導通電阻、電容和柵電荷量，并取得優異的品質因數（RDS(ON) x Qg）。此外，本征體二極管的恢復電荷（recovery charge）很低，有助于提高開關性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩健，反向傳輸電容對輸入電容（Crss/Ciss）的比值低，有助于強化抗電磁干擾（EMI immunity）。 意法半導體的60V STripFET F7 MOSFET是為同步整流（synchronous rectification）電路定制，能夠以更少的并聯器件達到最大目標電流，以此提高功率密度、降低元器件使用數量。該系列共有12款產品，覆蓋了所有工業標準電源，最大輸出電流從90A到260A（在Tc=25°C下，硅限制連續漏極電流）。新產品提供多個封裝選擇，包括PowerFLAT™ 5x6、PowerFLAT 3.3x3.3、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、雙引腳或六引腳H2PAK。 所有產品均已量產（包括采用PowerFLAT 5x6封裝的90A STL90N6F7），欲了解更多詳情，請瀏覽：www.st.com/stripfetf7 |
