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ST推出新功率MOSFET,實現近乎完美的開關性能

發布時間:2015-9-15 14:38    發布者:eechina
關鍵詞: 功率MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)MDmesh M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員,新系列產品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產品電源提供業內最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果尤為顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。



新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結構和優化的擴散工藝(diffusion process),擁有接近理想的開關設計,包括超低的導通電阻和最低的關斷開關損耗,是特別為甚高頻功率轉換器(f>150 kHz)專門設計,為要求最嚴格的電源供應器(PSU, Power Supply Unit)的理想選擇。

硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如LLC諧振,新器件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的共性柵電荷量(Qg)極低外,M2 EP產品的關斷能量(Eoff)還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關斷開關損耗同樣降低20%。在低電流范圍內降低Eoff損耗,有助于提高低負載能效,進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。

改進后的關斷波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效,降低噪聲,每周期回收再利用更多的電能,而不是以散熱的形式浪費掉。

新款MDmesh M2 EP系列的主要特性包括:

•    極低的Qg(低至16 nC)
•    針對輕負載條件優化電容曲線(capacitance profile)
•    針對軟件開關優化Vth和Rg參數
•    穩健的本體二極管(body diode)

MDmesh M2 EP系列瞄準需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV, DPAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, I2PAKFP, TO-247),所有產品均已量產。

欲了解更多詳情,請訪問: www.st.com/mdmeshm2

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