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使用6英寸晶圓的碳化硅基氮化鎵技術實現高容量、低成本GaN應用 Qorvo公司今日宣布，已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術擴展用于在6英寸晶圓上生產單片微波集成電路(MMIC)。預計從4英寸過渡到6英寸晶圓，大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產能力增加一倍，并且有利于降低制造成本 - 對價格實惠的射頻器件生產，能起到顯著的推進作用。 “在6英寸晶圓上實現碳化硅基氮化鎵單片微波集成電路，為顯著提高生產能力和成本效益鋪平了道路”，Qorvo公司的基礎設施和國防產品部(IDP)總裁James Klein表示。“這是一個重要的里程碑，鞏固了Qorvo在商業和國防市場提供一流工藝和GaN產品的領導地位。” Qorvo成功地證明，其高產、X波段功率放大器(PA)單片微波集成電路(MMIC)的QGaN25生產工藝可成功地從4英寸擴展到6英寸碳化硅基氮化鎵晶圓。這同樣有助于將公司的所有碳化硅基氮化鎵生產工藝轉換到6英寸晶圓，柵極長度范圍為0.15 um至0.50 um，涵蓋整個微波至mmW應用領域。預計將于2016年實現全面生產。 12瓦X波段的點對點MMIC功率放大器，符合80%以上的直流和射頻收益率要求，引領行業發展。這一工藝可行性為高速生產商用收發器基站(BTS)和點對點無線電、CATV及國防產品奠定了基礎。 晶圓尺寸擴展進一步鞏固了其作為美國國防部制造電子局認可的1A類供應商（1A Trusted Source）的領導地位。Qorvo于2014年圓滿完成DPA Title III碳化硅基氮化鎵項目，是首個達到制造成熟度(MRL)9級的公司，表明其高性能制造工藝可以投入全面生產。 美國國防部的制造成熟度評估(MRA)確保制造、生產和質量要求能夠滿足作戰任務需求。該過程確保產品或系統從工廠順利過渡到現場，為客戶提供最高的價值，并滿足全部性能、成本和產能目標。 |
