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日前，碳化硅（SiC）技術(shù)全球領(lǐng)導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 mΩ半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應加熱設(shè)備、電機驅(qū)動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關(guān)電源以及牽引設(shè)備等。 CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點。漏極電流方面，連續(xù)通電時最大為404A（@25℃），285A（@90℃）， 脈沖通電時最大為1500A（@25℃），導通電阻在柵源間電壓為+20V、周圍溫度為25℃時只有5mΩ（標準值）。此外，即使周圍溫度上升至+150℃，導通電阻也只有8.6mΩ（標準值），溫度上升對導通電阻增加的影響非常小。總柵極電荷僅1025nC（標準值），因此十分容易提高開關(guān)頻率。 
圖1：Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 mΩ半橋雙功率模塊CAS300M12BM2 Cree方面表示，如果使用SiC功率模塊，與使用Si功率的電源裝置相比，由開關(guān)損失引起的功率損耗可降低5倍以上。與采用Si材料IGBT的電源裝置相比，CAS300M12BM2可改善裝置整體的轉(zhuǎn)換效率，而且能將開關(guān)頻率提高，從而能夠縮小外置部件，因此可削減電源裝置整體的體積和重量。在感應效率達到99%的同時，CAS300M12BM2在高頻感應加熱系統(tǒng)可減少2.5倍的電源模塊數(shù)。CAS300M12BM2的轉(zhuǎn)換效率和性能可使設(shè)計師減少冷卻片和散熱片，降低系統(tǒng)的熱要求，提升兩倍的功率密度并降低系統(tǒng)成本，最終減少了用戶的成本。
圖2：使用SiC與Si技術(shù)比較 Cree功率和RF產(chǎn)品營銷經(jīng)理MrinalDas表示：“Cree的SiC功率模塊系列還可以為太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和工業(yè)電源等應用帶來極大益處。即使設(shè)計人員只是在電動機中用SiC取代硅模塊，SiC的增強性能也可以降低功率耗損和冷卻要求，從而降低動力電子設(shè)備系統(tǒng)的尺寸、重量、復雜性和總成本”。 Cree與世強已于日前宣布，雙方將展開緊密合作，共同開拓汽車和工業(yè)市場。來自Cree的CAS300M12BM2現(xiàn)可通過世強訂購。 更多信息請訪問：世強(SEKORM)專區(qū) |
