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薄型器件適于中高頻應用，節省空間，同時降低寄生電感，實現更潔凈的開關特性 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩種新型1200 V MOSFET功率模塊---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120，提高汽車、能源、工業和通信系統中高頻應用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分別有四顆和六顆MOSFET的模塊，采用薄型MAACPAK PressFit封裝，是先進的碳化硅（SiC）技術和堅固的傳遞模塑結構的理想組合。 
日前發布的功率模塊集成Vishay新一代SiC MOSFET與用于溫度感測的負溫度系數（NTC）熱敏電阻，以及具有低反向恢復時間的快速本征SiC二極管，從而降低開關損耗，提高效率，適用于光伏逆變器、電動（EV）和混合電動（HEV）汽車充電器、電機驅動器、焊機、DC/DC轉換器、UPS、暖通空調（HVAC）系統、大型電池儲能系統、通信電源等。 為提高可靠性，VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采用堅固的傳遞模塑工藝技術，產品生命周期遠超市場上現有的傳統解決方案，同時增強熱阻性能。此外，器件高度低，有助于降低寄生電感和電磁干擾（EMI），節省空間，實現更高效、更干凈的開關特性。模塊PressFit引腳矩陣排列符合行業標準布局，便于輕松替換現有設計中的競品解決方案，提高性能。 VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲結構，導通電阻低至38 m，+80 C下連續漏極電流為35 A, 而VS-MPX075P120則采用三相逆變器拓撲結構，導通電阻為75 m，連續漏極電流為18 A。兩種器件都具有低容值高速開關功能，最高工作結溫達+175 C。功率模塊符合RoHS標準，無鹵素。 VS-MPX075P120和VS-MPY038P120現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為13周。 |
