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Qorvo, Inc.推出一項全新的砷化鎵(GaAs)贗晶型高電子遷移率晶體管(pHEMT)工藝技術，與競爭對手的半導體工藝相比，該技術能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一種90 nm pHEMT工藝，能夠支持Qorvo的下一代光產品組合。這種新工藝具備Qorvo業界領先的可靠性，非常適合100G+線性應用所需的下一代高頻高性能放大器。 TQPHT09在Qorvo位于德克薩斯州里查德遜的業界領先GaAs工廠制造，也是該公司久負盛譽的pHEMT工藝產品組合中的最新產品。Qorvo的TQPHT09為多種新型光調制器驅動器產品奠定了基礎，包括該公司最先進的四通道100G調制器驅動器TGA4960-SL。TGA4960-SL具有CFP2外形尺寸，適合地鐵和長距離運輸應用，也非常適合升級面向線路卡應用的100G線性雙通道驅動器。該產品經過優化，實現高性能和低功耗，提供高度的通道間隔離，采用14.0 x 8.0 x 2.6 mm SMT模塊封裝，具有業界最小的封裝尺寸。 Qorvo基礎設施和國防產品部總裁James Klein表示：“Qorvo持續投資開發業界最具競爭力的半導體工藝技術，打造適用于下一代產品的同類最佳元器件。Qorvo的新型90 nm pHEMT工藝展示了我們在提供面向高速市場應用的元器件方面處于領先地位，能夠提供客戶期望的質量、可靠性和可靠供貨源。” 若要了解有關TQPHT90工藝優勢、TGA4960-SL和其他高性能驅動器模塊以及面向100G+應用的TIA的更多信息，請訪問www.qorvo.com/optical。 欲查找 Qorvo 的分銷商、經銷商或銷售代表，請訪問 http://www.qorvo.com/how-to-buy。 欲了解Qorvo的更多詳情，請關注Qorvo官方微博（Qorvo半導體）及微信（Qorvo）。 |
