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國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源（SMPS）及電機驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應用提供優(yōu)化的性能和更低成本。 所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標準，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。 產(chǎn)品基本規(guī)格
新器件現(xiàn)已接受訂單，數(shù)據(jù)表和應用說明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com。 |
