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賽普拉斯向UMC授權55納米嵌入式閃存技術

發布時間:2014-7-15 15:36    發布者:eechina
關鍵詞: UMC , 嵌入式閃存
高性價比的SONOS嵌入式非易失性存儲器能為下一代智能卡、微控制器和物聯網應用帶來更高的良率及可擴充產能的工藝技術

賽普拉斯半導體公司與聯華電子公司(UMC)聯合宣布,UMC獲得了賽普拉斯SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存的知識產權(IP)的使用權,用于其55納米工藝技術節點。賽普拉斯的SONOS技術能更方便地集成非易失性存儲單元,同時具有無與倫比的產能擴充能力,以適應未來需要。主要的應用領域包括可穿戴設備、物聯網(IoT)應用、微控制器和邏輯主導(logic-dominated)的產品。

賽普拉斯的55納米SONOS嵌入式非易失性存儲器(NVM)工藝與其他嵌入式NVM方案相比具有顯著的優勢。要嵌入標準的CMOS工藝,SONOS需要的掩膜層數更少。具體來說,SONOS只需3到4層額外的掩膜,而其他嵌入式閃存技術一般需要11到12層。當添加到基準CMOS工藝制程中時,SONOS 不會改變標準的器件特性或模式,能保持已有的設計IP。SONOS本身具有高良率和可靠的特性、10年的數據保存期、10萬次編程/擦寫壽命,以及強大的抗軟錯誤能力。UMC在2013年曾驗證過賽普拉斯的S65™ 65納米 SONOS工藝技術。賽普拉斯和UMC已展示了將SONOS延伸到更小節點的能力,以加速未來IP的開發。

UMC負責特殊技術開發的副總裁S.C. Chien說:“我們擁有眾多的半導體IP生態合作伙伴,UMC計劃建立更多的增值技術平臺,以適應未來低功耗、高集成度IC設計的需求,例如IoT和可穿戴設備。我們很高興與賽普拉斯合作,為客戶帶來55納米SONOS技術的諸多優勢,包括穩定的性能、良好的成本和久經考驗的高良率。基于UMC在特殊工藝方面已有的成功經驗,例如RF, BCD, HV, CIS 和 eFlash等等,我們計劃利用賽普拉斯易于集成的55納米非易失性存儲IP來滿足不同的應用需求。”

賽普拉斯技術與知識產權事業部副總裁Sam Geha說:“賽普拉斯一直致力于與UMC這樣的業界領先企業開展合作,將SONOS IP作為嵌入式非易失性存儲的首選方案。55納米SONOS工藝生逢其時,可以滿足UMC各種客戶強烈的市場需求。許多新產品均面向快速成長的市場,包括智能卡、銀行卡、可穿戴設備和物聯網等,均可受益于SONOS的低成本、高性能和高可靠性。”


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