Diodes推出世界最小60V功率MOSFET，提升功率密度

發布時間：2014-6-26 10:52 發布者：eechina

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm，高度則是一般的0.5mm，并采用了DFN1616封裝，有助于在手機、超薄液晶電視及掌上游戲機等受空間限制的產品內實現更高的功率密度。

全新MOSFET的導通電阻在VGS達到4V時低至74 mΩ，可盡量減少導通損耗及提高整體功率效率。DMN6070SFCL支持2A的連續電流以及10A的脈沖電流，有效應付直流-直流轉換尖峰。

這款微型MOSFET是Diodes 60V N-和P-通道器件系列之一，旨在滿足負載開關、直流-直流轉換及信號開關占空比的要求。該系列還提供SO8、SOT23、SOT223和TO252四款較大的封裝選擇，適合消費性電子產品、工業控制及采暖、通風與空調設備等多種應用。

如欲了解進一步產品信息，請訪問公司網站www.diodes.com。

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