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IR為工業(yè)應(yīng)用推出大罐式DirectFET MOSFET系列,具備極低導(dǎo)通電阻

發(fā)布時間:2014-6-19 11:20    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: DirectFET , MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列,適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用,包括大功率直流電機,直流/交流逆變器,以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關(guān)應(yīng)用。



全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能,從而實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似,具備雙面散熱功能,可提供最佳傳熱性能,提升功率密度。由于提供最佳的裸片對占位面積比,DirectFET可有效縮減電路板尺寸。新器件還具備0.7mm的超薄厚度,為受空間限制的高功率工業(yè)電源設(shè)計提供理想的解決方案。

與DirectFET系列的其它器件一樣,全新的工業(yè)用大罐式封裝器件提供能改善可靠性的無鍵合線設(shè)計。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 的所有要求,例如提供完全不含鉛的物料清單,因此非常適合長生命周期的設(shè)計。而其它同類型的高性能封裝則包含采用含鉛的裸片貼裝,雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“DirectFET系列新增大罐式封裝器件后,繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界成為市場上最可靠、最高性能的MOSFET封裝產(chǎn)品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面積比D2PAK等傳統(tǒng)的大型塑料表面貼裝功率封裝顯著減小,而且增加了上方散熱性能,因而非常適合空間受限的長壽命工業(yè)電源設(shè)計。”

全新40V到150V大罐式封裝器件符合第一級濕度敏感度業(yè)界標準 (MSL1)。

規(guī)格
器件編號Vdss10V下的最高導(dǎo)通電阻Id (A)Qg (nc)品質(zhì)級別
IRF7739L1TRPBF
40
1.0 mΩ270220工業(yè)級
IRF7749L1TRPBF
60
1.5 mΩ200200工業(yè)級
IRF7748L1TRPBF
60
2.2mΩ138148工業(yè)級
IRF7759L2TRPBF
75
2.3mΩ160200工業(yè)級
IRF7769L1TRPBF
100
3.5mΩ124200工業(yè)級
IRF7779L2TRPBF
150
11mΩ6797工業(yè)級

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)和MOSFET產(chǎn)品選型工具,請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com
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