意法半導體（ST）將兩項新的封裝技術應用到三個先進的高壓功率MOFET系列產品，讓充電器、太陽能微逆變器和計算機電源等注重節能的設備變得更緊湊、更穩健、更可靠。 
意法半導體先進的 PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝具有高達650V和800V電壓運行所要求的隔離通道長度和間隙，而封裝面積與工業標準的100V PowerFLAT 5x6封裝的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封裝縮小 52%。此外，這兩個先進封裝僅1mm厚，配備一個裸露的大面積的金屬漏極焊盤，通過印刷電路板上的散熱通孔最大限度地排熱。 這些功能同時提高了管子的高壓輸出能力、穩健性、可靠性和系統功率密度。 意法半導體目前正在推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh V MOSFET產品，還推出四款額定電壓極高的采用 PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。 此外，意法半導體已經開始提供兩款采用PowerFLAT 5x6 HV 封裝的600 V 快速開關型低Qg 的MDmesh II Plus MOSFET測試樣片。 詳情請訪問 www.st.com/mosfet |
