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新器件以緊湊的占位面積實現系統效率提升 美高森美公司(Microsemi) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產品系列，推出全新的650V解決方案產品系列，新型二極管產品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業應用。 SiC等寬帶隙半導體器件采用了最先進的材料，這是眾多功率電子和系統設計人員在新設計中所考慮的。與硅材料相比，SiC提供了包括較高擊穿場強和較高導熱性在內的數項優勢。這些特性可讓設計人員創建具有較好性能特性的產品，包括零反向恢復、溫度獨立行為、較高的電壓能力和較高的工作溫度，以達到全新的性能、效率和可靠性水平。 美高森美公司功率產品部門高級產品營銷經理James Kerr表示：“美高森美的SiC功率半導體器件是尋求提升系統效率的功率電子設計人員的理想選擇，碳化硅是我們眾多客戶的顛覆性(game-changing)技術。憑借公司內部的制造能力、全面的SiC解決方案產品組合，以及包括數款全新SiC產品的發展藍圖，美高森美擁有把握這個不斷增長的市場機會的有利條件。” 美高森美全新650V SiC肖特基二極管產品組合包括： • APT10SCD65K (650V、10A、TO-220 封裝) • APT10SCD65KCT (650V、10A、 共用陰極TO-220 封裝) • APT20SCD65K (650V、20A、TO-220 封裝) • APT30SCD65B (650V、30A、TO-247 封裝) 新的解決方案還用于公司的功率模塊產品，功率模塊用于航空航天、焊接、電池充電和其它大功率工業應用。 供貨 新型650V SiC肖特基二極管現在進入生產，如要了解更多的信息或獲取樣品，請聯絡當地分銷商或美高森美銷售代表，或發送電郵至 sales.support@microsemi.com ，請在標題欄中注明“SiC”。 |
