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飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率,解決了有源整流橋應用中的散熱問題

發(fā)布時間:2013-5-2 13:55    發(fā)布者:eechina
關鍵詞: MOSFET , N溝道
單個封裝中的四個60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率,替代二極管整流橋,實現(xiàn)緊湊的設計并節(jié)省電路板空間

高分辨率、緊湊有源整流橋應用(如網(wǎng)絡攝像機)中的過熱可能導致圖像質量問題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器,也會降低相機的圖片質量。 調節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量,占用電路板空間,讓這些設計變得更復雜。 飛兆半導體的FDMQ86530L 60V四路MOSFET為設計人員提供了一體式封裝,有助于克服這些嚴峻的設計挑戰(zhàn)。

FDMQ86530L解決方案由四個60V N溝道組成,采用飛兆GreenBridge™技術,改進了傳導損耗和傳統(tǒng)二極管整流橋的效率,將功耗降低了10倍。 該器件采用熱增強、節(jié)省空間的4.5 x 5.0 mm MLP 12引腳封裝,免去了散熱需要,實現(xiàn)了緊湊設計,提高了12和24V AC應用中的功率轉換效率。



規(guī)格:

•    最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V,ID = 8A)
•    最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V,ID = 7A)
•    最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V,ID = 6.5A)

封裝和報價信息(訂購 1,000 個,美元)

按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后 8-12 周內

FDMQ86530L產品采用4.5 x 5.0mm MLP 12引腳封裝,價格為 1.38美元。

FDMQ86530L產品是飛兆半導體全面的分立式MOSFET產品組合的一部分,再次體現(xiàn)了公司承諾:即提供最具創(chuàng)新的封裝技術,以目前最先進的系統(tǒng)實現(xiàn)最小尺寸、最大熱性能和最高效率。

取得產品PDF格式的數(shù)據(jù)頁,請訪問網(wǎng)頁:http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf

查詢更多信息,請聯(lián)絡飛兆半導體香港辦事處,電話:852-2722-8338;深圳辦事處,電話:0755-8246-3088;上海辦事處,電話:021-3250-7688;北京辦事處,電話:010-6408-8088 或訪問公司網(wǎng)站:http://www.fairchildsemi.com/cn/


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