面向偏壓溫度不穩定性分析的即時Vth測量

發布時間：2012-9-5 14:42 發布者：eechina

在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩定性——負偏壓溫度不穩定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩定性（PBTI）——監測和控制的需求不斷增加。當前NBTI 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進可靠性研究人員不斷完善測試技術的關鍵。簡單來說，當撤銷器件應力時，這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測量得出的壽命預測結果將過于樂觀。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復對壽命預測的影響越小。此外，實驗數據顯示被測的劣化時間斜率（n）很大程度取決于測量時延和測量速度。因此，為了最小化測量延時并提高測量速度開發了幾種測量技術。

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