MOSFET晶體管IPD90P04P4L-04，溫度傳感器MCP9701AT-E/TT，負載驅動器LMG3422R050RQZR

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星際金華，明佳達供應 MOSFET晶體管IPD90P04P4L-04，溫度傳感器MCP9701AT-E/TT，負載驅動器LMG3422R050RQZR


IPD90P04P4L-04 40V OptiMOS P2 P溝道汽車MOSFET晶體管

產品描述
IPD90P04P4L-04是一款采用TO-252-3封裝的40V OptiMOS™-P2系列P溝道汽車MOSFET晶體管，專為高性能汽車應用設計。

應用領域
電機驅動系統：
半橋/全橋/H橋電路的高側MOSFET
三相無刷直流電機（BLDC）驅動
直流電機的正反轉控制
汽車電子：
電動助力轉向（EPS）
電子水泵/油泵控制器
車身控制模塊（BCM）
LED照明驅動器
工業控制：
PLC輸出模塊
電磁閥驅動器
電源反極性保護

特性
P溝道-邏輯電平-增強模式
通過汽車AEC Q101認證
MSL1級，峰值回流焊溫度達260°C
175°C工作溫度
綠色封裝（符合RoHS標準）
100%雪崩測試
支持PPAP認證

應用領域
汽車車身控制模塊（BCM）
汽車電池管理系統（BMS）- 高壓系統
電動汽車牽引逆變器

MCP9701AT-E/TT 3.1V至5.5V模擬線性溫度傳感器

產品描述
MCP9701AT-E/TT是一款工作電壓為3.1V至5.5V的精密模擬線性溫度傳感器IC，為各類工業及電子應用提供精準溫度測量。

LMG3422R050RQZR 600V 32A GaN FET功率級負載驅動器

產品描述
LMG3422R050RQZR 集成驅動器與保護功能的氮化鎵場效應管，助力設計師在電力電子系統中實現更高功率密度與效率。先進電源管理特性包括數字溫度反饋與故障檢測。氮化鎵場效應管溫度通過可變占空比PWM輸出反饋，簡化器件負載管理。故障檢測涵蓋過溫、過流及欠壓鎖定監控。

特性
• 符合JEDEC JEP180標準，適用于硬開關拓撲
• 集成柵極驅動器的600V GaN-on-Si FET
• 內置高精度柵極偏置電壓
• 200V/ns FET延遲時間
3.6MHz開關頻率
20V/ns至150V/ns壓擺率，優化開關性能并抑制電磁干擾
工作電壓范圍7.5V至18V
強健保護機制
周期性過流保護與鎖存短路保護，響應時間<100ns
硬開關狀態下承受720V浪涌
內部過溫自保護與欠壓鎖定監測
數字溫度PWM輸出實現先進電源管理

應用領域
高密度工業電源
太陽能逆變器與工業電機驅動
不間斷電源
商用網絡及服務器電源
商用電信整流器