|
氮化鎵IC LMG3422R050RQZR 半橋驅動器 通用MOSFET VQFN54 描述 LMG3422R050RQZR GaN FET集成了驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現新的功率密度和效率水平。高級電源管理功能包括數字溫度報告和故障檢測。氮化鎵場效應晶體管的溫度通過一個可變占空比的PWM輸出來報告，這簡化了器件負載的管理。報告的故障包括過溫、過流和UVLO監測。 應用 高密度工業電源 太陽能逆變器和工業電機驅動器 不間斷電源 商業網絡和服務器PSU 商用電信整流器 硅驅動器 LMG3425R050RQZR 柵極驅動器 帶有集成驅動器的 GaN FET 描述 LMG3425R050RQZR集成了一個硅驅動器，使開關速度高達150V/ns。與分立硅柵極驅動器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實現更高的開關 SOA。這種集成與TI的低電感封裝相結合，可在硬開關電源拓撲結構中實現干凈的開關和最小的振鈴。可調節的柵極驅動強度允許控制20 V/ns至150 V/ns的回轉率，這可用于主動控制EMI和優化開關性能。LMG3425R050包括理想二極管模式，通過實現自適應死區時間控制來減少第三象限損耗。 特點 符合JEDEC JEP180的硬開關拓撲結構要求 帶有集成柵極驅動器的600-V硅基氮化鎵場效應晶體管 集成高精度柵極偏置電壓 200-V/ns CMTI 3.6MHz的開關頻率 20-V/ns至150-V/ns的回轉率，用于優化開關性能和降低EMI 在7.5-V至18-V電源下工作 強有力的保護 逐個周期的過電流和潛伏的短路保護，響應時間<100-ns 在硬開關時可承受720-V的電涌 內部過熱的自我保護和UVLO監控 先進的電源管理 數字溫度PWM輸出 理想的二極管模式減少了LMG3425R050的第三象限損耗 明佳達，星際金華 供求 氮化鎵IC LMG3422R050RQZR/LMG3425R050RQZR 柵極驅動器 |
