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大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產(chǎn)品的IC評估板方案

發(fā)布時間:2025-12-9 17:38    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: NCP5156 , 隔離驅(qū)動
大聯(lián)大旗下世平推出基于安森美(onsemi)NCP5156x芯片的雙通道隔離驅(qū)動IC評估板方案。


圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的IC評估板方案的展示板圖

當(dāng)前,新能源及工業(yè)驅(qū)動市場正面臨高功率密度與高可靠性要求的雙重挑戰(zhàn)。隨著碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的普及,高頻應(yīng)用帶來的開關(guān)損耗、電磁干擾及安全隔離問題日益凸顯。大聯(lián)大世平基于onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅(qū)動IC評估板方案,憑借其4.5A/9A的強大驅(qū)動能力和5kVRMS的高等級電氣隔離性能,有效提升了系統(tǒng)的開關(guān)效率與運行穩(wěn)定性。


圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的IC評估板方案的場景應(yīng)用圖

NCP5156x是onsemi旗下一款高性能雙通道隔離柵極驅(qū)動器,專為驅(qū)動功率MOSFET和SiC MOSFET的快速開關(guān)應(yīng)用而優(yōu)化。該器件具備4.5A拉電流和9A灌電流的峰值驅(qū)動能力,能夠有效滿足高頻開關(guān)應(yīng)用對驅(qū)動強度的嚴(yán)苛需求。

NCP5156x具有卓越的時序特性,其傳播延遲短且通道間匹配度高,有助于提升系統(tǒng)效率并減少開關(guān)損耗。在安全隔離方面,器件提供了輸入與輸出之間高達5kVRMS的電氣隔離強度,并支持高達1500VDC的工作電壓,為高壓應(yīng)用場景提供可靠保障。

該驅(qū)動器支持靈活的配置方式,可適配多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括兩個低側(cè)驅(qū)動、兩個高側(cè)驅(qū)動或帶可編程死區(qū)時間的半橋驅(qū)動。通過ENA/DIS引腳可實現(xiàn)雙通道的啟用或停用控制,簡化了系統(tǒng)管理。此外,NCP5156x還集成了完善的保護功能,包括獨立的柵極驅(qū)動器欠壓鎖定(UVLO)和可調(diào)節(jié)的死區(qū)時間控制,進一步增強系統(tǒng)的可靠性和安全性。

針對5kVRMS隔離需求,評估板采用NCP51561高性能隔離雙通道柵極驅(qū)動器,為功率器件提供穩(wěn)定可靠的驅(qū)動支持。設(shè)計指南詳盡囊括操作流程、接口定義、電路原理圖、PCB布局規(guī)范及完整物料清單(BOM),助力工程師快速完成系統(tǒng)設(shè)計與驗證。評估板全面支持NCP51561xyDWR2G、NCV51561xyDWR2G、NCP51560xyDWR2G、NCP51563xyDWR2G和NCV51563xyDWR2G等多個系列芯片的性能評估。


圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的IC評估板方案的的方塊圖

為針對光伏逆變器、電動汽車驅(qū)動、工業(yè)電機及云服務(wù)器電源等高壓應(yīng)用場景,評估板提供了完整的技術(shù)解決方案。它集成了高性能隔離驅(qū)動與完善的保護機制,可有效應(yīng)對高頻開關(guān)損耗、電磁干擾及安全隔離等設(shè)計挑戰(zhàn)。通過提供經(jīng)過驗證的參考設(shè)計、優(yōu)化布局方案及完整物料清單,顯著降低研發(fā)門檻,助力客戶加速產(chǎn)品上市進程,為高可靠性功率系統(tǒng)提供技術(shù)支撐。

核心技術(shù)優(yōu)勢:
        設(shè)計靈活性好:可用于雙低側(cè)、雙高側(cè)或半橋閘極驅(qū)動:
        兩個輸出驅(qū)動器均具有獨立的UVLO保護;
        輸出電源電壓范圍為6.5V至30V,其中驅(qū)動電壓5V、8V用于一般MOSFET、13V和17V用于SiC MOS;
        4.5A峰值拉電流(Sink)、9A峰值灌電流(Source)輸出;
        共模瞬態(tài)抗擾度CMTI >200V/ns;
        傳播延遲典型值為36ns。
        每個通道有5ns最大延遲匹配,5ns最大脈寬失真:
        使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式(僅限NCP51561/563)啟用或停用模式;
        3V至5.0V VDD電源范圍,最高30V VCCA/VCCB電源范圍;
        4.5A和9A拉電流/灌電流驅(qū)動能力;
        TTL兼容輸入;
        允許輸入電壓高達18V,適用于INA、INB、和ANB腳位;
        用于死區(qū)時間的板載微調(diào)電位器程式設(shè)計;
        用于INA、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳;
        2位接頭,用于ANB引腳;
        支持MOSFET和SiC半橋測試。
        連接到外部功率級MOSFET,輸入電壓:600V-800VDC(最大允許900VDC)。

方案規(guī)格:
        電源電壓:輸入側(cè)VDD 3.0V(最。-5.0V(最大);
        電源電壓:驅(qū)動器側(cè)如下可選:
        b1:5V UVLO版本VCCA、VCCB:6.5V(最。-30V(最大);
        b2:8V UVLO版本VCCA、VCCB:9.5V(最。-30V(最大);
        b3:13V UVLO版本VCCA、VCCB:14.5V(最。-30V(最大);
        b4:17V UVLO版本VCCA、VCCB:18.5V(最。-30V(最大);
        INA、INB和ANB接腳上的邏輯輸入電壓VIN:0V(最。-18V(最大);
        ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓:0V(最小)-5.0V(最大);
        工作溫度Tj:−40℃(最。-+125℃(最大)。

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