[資料參數(shù)] ADUM342E0WBRWZ__TPS54331DR__STM32F407ZGT6——電子芯片

Mingjiada

明佳達(dá)電子、星際金華【長(zhǎng)期供應(yīng)】原裝庫(kù)存IC——ADUM342E0WBRWZ、TPS54331DR、STM32F407ZGT6。

ADUM342E0WBRWZ——5700Vrms，四通道數(shù)字隔離器，SOIC-16

TPS54331DR——28V、3A、570kHz、非同步降壓轉(zhuǎn)換器，SOIC-8

STM32F407ZGT6——168MHz，32位 ARM® Cortex®-M4 STM32F4 微控制器IC，LQFP-144

供應(yīng)原裝庫(kù)存芯片，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！

【資料參數(shù)詳情】

ADUM342E0WBRWZ：5700Vrms，四通道數(shù)字隔離器，SOIC-16

規(guī)格參數(shù)：

技術(shù)：磁耦合

類型：CAN，RS485，SPI

隔離式電源：是

通道數(shù)：4

輸入 - 側(cè) 1/側(cè) 2：2/2

通道類型：?jiǎn)蜗?/div>

電壓 - 隔離：5700Vrms

共模瞬變抗擾度（最小值）：100kV/µs

數(shù)據(jù)速率：150Mbps

傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：10ns，10ns

脈寬失真（最大）：3ns

上升/下降時(shí)間（典型值）：2.5ns，2.5ns

電壓 - 供電：2.25V ~5.5V

工作溫度：-40°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

產(chǎn)品特性：

高共模瞬變抗擾度：180kV/µs（典型值）

高輻射和傳導(dǎo)噪聲抗擾性能

低傳播延遲

對(duì)于 5V 操作，典型值為 6.2ns（最大值為 10ns）

低動(dòng)態(tài)功耗，1Mbps 時(shí)，為<1.65mA/通道

2.25V - 5.5V 電平轉(zhuǎn)換

5V 工作電壓下，最大保證數(shù)據(jù)速率為150Mbps

高溫運(yùn)行：125°C

TPS54331DR：28V、3A、570kHz、非同步降壓轉(zhuǎn)換器，SOIC-8

3.5V 至 28V 輸入電壓范圍

可調(diào)節(jié)輸出電壓低至 0.8V

集成式 80mΩ 高側(cè) MOSFET 支持高達(dá) 3A 的持續(xù)輸出電流

使用脈沖跳躍 Eco-mode 在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高效率

570kHz 固定開關(guān)頻率

1µA 關(guān)斷靜態(tài)電流（典型值）

可調(diào)節(jié)慢啟動(dòng)限制浪涌電流

可編程 UVLO 閾值

過(guò)壓瞬態(tài)保護(hù)

逐周期電流限制、頻率折返和熱關(guān)斷保護(hù)

STM32F407ZGT6：168MHz，32位 ARM® Cortex®-M4 STM32F4 微控制器IC，LQFP-144

核心處理器：ARM® Cortex®-M4

內(nèi)核規(guī)格：32-位

速度：168MHz

I/O 數(shù)：114

程序存儲(chǔ)容量：1MB（1M x 8）

程序存儲(chǔ)器類型：閃存

RAM 大小：192K x 8

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 24x12b; D/A 2x12b

振蕩器類型：內(nèi)部

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：144-LQFP（20x20）