|
此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器和封裝方面的專業能力，以及英諾賽科成熟先進的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性價比、節能高效的解決方案，推動 GaN 技術普及進程。 安森美（onsemi）與英諾賽科（Innoscience ）今日宣布簽署一份諒解備忘錄（MoU），旨在評估加速氮化鎵（GaN）功率器件部署的機遇，首先從40-200V功率器件入手，以顯著提升客戶采用率。該備忘錄概述的合作將安森美在集成系統和封裝領域的領先優勢與英諾賽科成熟的GaN技術和大規模量產能力相結合，從而為工業、汽車、電信基礎設施、消費電子和AI數據中心市場提供高性價比、高效率的GaN產品。 GaN 半導體器件憑借更高的開關速度、更小的尺寸和更低的能耗，能夠在更小的空間內提供更大的功率。迄今為止，有限的產品供應和產能不足制約了GaN 在低壓和中壓領域的應用。通過此次合作，安森美和英諾賽科將攜手突破這些阻礙，加速實現更優化的GaN 解決方案在全球主流市場的大規模部署。 工業領域：機器人電機驅動器、太陽能微型逆變器及優化器 汽車領域：DC-DC轉換器、同步整流 電信基礎設施：DC-DC轉換器與負載點轉換器 消費及大眾市場：電源、適配器、DC-DC轉換器、電機驅動器、音頻設備、輕型電動汽車、電動工具、機器人等 AI數據中心：中間總線轉換器、DC-DC轉換器、備用電池 對于安森美的客戶而言，與英諾賽科的合作將帶來如下優勢： 加快產品上市速度：憑借安森美的系統專業知識以及英諾賽科成熟的 GaN 技術和制造工藝，實現快速原型制作、加速設計導入，并迅速進入主流市場。 可擴展制造：依托安森美全球集成與封裝經驗及英諾賽科成熟的 GaN 產能，實現真正面向大眾市場的規模化生產，滿足大批量產能爬坡需求。 更低的系統成本：優化封裝、減少元器件數量和簡化熱管理，實現更緊湊的設計并降低整體系統成本。 “隨著各行各業電力需求的增長，GaN 相比其他材料具有更高的效率、更小的尺寸和更低的能耗。迄今為止，在低壓和中壓領域，成本和供應限制了其廣泛應用。通過與英諾賽科的合作，我們有望利用業界最大的GaN生產基地，迅速擴大我們面向全球客戶的GaN產品交付，推動在主流電力應用中的普及。”安森美企業戰略副總裁 Antoine Jalabert表示。 “GaN技術對于改進電子產品、打造更小、更高效的電源系統，節約電力以及減少二氧化碳排放至關重要。英諾賽科很高興能與安森美探索戰略合作機遇，在全球范圍內擴大和加速GaN 電源技術的應用，并依托安森美豐富的產品組合構建系統集成平臺。”英諾賽科產品與工程高級副總裁孫毅表示。 完整的智能電源產品組合 預計到2030年，GaN將在全球功率半導體市場占據約29億美元（11%）的份額，2024-2030年期間復合年增長率預計達42%1。此次與英諾賽科的合作將進一步拓展安森美智能電源產品組合，該產品組合現已涵蓋硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵技術。這些技術的結合使安森美能夠為AI數據中心、汽車、工業和消費類應用提供最佳電源系統。這一完整的低壓和中壓產品組合鞏固了安森美作為領先的全集成電源系統供應商的地位，助力客戶在全球電氣化和人工智能能源需求持續激增的背景下，最大限度地提高性能和能效。 時間安排與供貨情況 安森美預計將于2026年上半年開始提供樣品。 1 Source:Yole Power GaN 2025 |
