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有源晶振與無(wú)源晶振的優(yōu)缺點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間:2025-11-28 13:59    發(fā)布者:yxcyangxing
關(guān)鍵詞: 有源晶振 , 無(wú)源晶振
一、基本定義
無(wú)源晶振(Crystal,晶體諧振器)
結(jié)構(gòu):僅包含石英晶體,無(wú)內(nèi)置振蕩電路
工作原理:依賴外部電路(如MCU振蕩器)驅(qū)動(dòng),通過(guò)機(jī)械振動(dòng)產(chǎn)生諧振頻率。
有源晶振(Oscillator,晶體振蕩器)
結(jié)構(gòu):集成石英晶體 + 振蕩電路 + 輸出驅(qū)動(dòng),直接輸出方波/正弦波信號(hào)。
工作原理:內(nèi)置振蕩器,僅需供電即可獨(dú)立工作。


二、核心區(qū)別對(duì)比
對(duì)比項(xiàng)
無(wú)源晶振
有源晶振
電路需求
需外部振蕩電路(如MCU的OSC_IN/OSC_OUT)
獨(dú)立工作,無(wú)需外部電路
輸出信號(hào)
正弦波(需整形電路)
方波/削峰正弦波(直接驅(qū)動(dòng)邏輯器件)
功耗
低(依賴外部驅(qū)動(dòng)電流
較高(內(nèi)置電路功耗,通常1mA~50mA)
頻率穩(wěn)定性
±10ppm~±50ppm(受外部電路影響)
±0.1ppm~±50ppm(高精度型號(hào)可達(dá)±0.001ppm)
成本
低(0.1元~1元)
高(1~500元,依賴精度和封裝)
啟動(dòng)時(shí)間
較長(zhǎng)(ms級(jí),需起振過(guò)程)
短(μs級(jí),上電即穩(wěn)定)
抗干擾能力
弱(依賴PCB布局和外部電路)
強(qiáng)(內(nèi)置濾波和穩(wěn)壓)

三、應(yīng)用場(chǎng)景
1. 無(wú)源晶振的典型應(yīng)用
低成本消費(fèi)電子:如藍(lán)牙耳機(jī)、遙控器(MCU主頻≤100MHz)。
嵌入式系統(tǒng):STM32、ESP32等MCU的時(shí)鐘源(需配置負(fù)載電容)。
負(fù)載電容公式:
C_load = (C1 × C2) / (C1 + C2) + C_stray  C_stray為PCB寄生電容,通常3pF~5pF)
2. 有源晶振的典型應(yīng)用
高頻與高精度場(chǎng)景:
通信設(shè)備(5G基站、光模塊,頻率≥100MHz)。
精密儀器(原子鐘同步,TCXO/OCXO溫補(bǔ)晶振)。
復(fù)雜環(huán)境:工業(yè)控制(抗振動(dòng)、寬溫-40℃~+125℃)。
直接驅(qū)動(dòng):FPGA全局時(shí)鐘、高速SerDes接口(如25Gbps以太網(wǎng))。


四、選型關(guān)鍵點(diǎn)
1. 無(wú)源晶振選型
參數(shù)
選型規(guī)則
示例
頻率
匹配MCU/芯片要求
25MHz無(wú)源晶振,負(fù)載電容20pF
負(fù)載電容(CL)
按芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)要求匹配外部電容
CL=20pF → C1=C2=2×(20pF - 5pF)=30pF
ESR(等效電阻
ESR(≤80Ω)縮短起振時(shí)間
ESR=50Ω的YSX321SL型號(hào)
封裝
根據(jù)PCB空間選擇(如SMD3225、HC-49S)
手機(jī)用2.0×1.6mm,工控用3.3×2.5mm
2. 有源晶振選型
參數(shù)
選型規(guī)則
示例
輸出類(lèi)型
CMOS(3.3V)、LVDS(差分)、HCSL(高速)
100MHz LVDS輸出(如YSO230LR
頻率穩(wěn)定性
按系統(tǒng)需求選擇(如±10ppm工業(yè)級(jí))
OCXO恒溫晶振(如YOV1409SM-10M
電源電壓
匹配系統(tǒng)電源(1.8V/2.5V/3.3V/5V)
3.3V供電的 YSO110TR
相位噪聲
高頻場(chǎng)景需低相位噪聲(如<-150dBc/Hz@1MHz)
AI算力集群選YSO212PU

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