|
來源：TrendForce集邦咨詢 根據TrendForce集邦咨詢調查顯示，隨著存儲器平均銷售價格(ASP)持續提升，供應商獲利也有所增加，DRAM與NAND Flash后續的資本支出將會持續上漲，但對于2026年的位元產出成長的助力有限。DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變，從單純地擴充產能，轉向制程技術升級、高層數堆棧、混合鍵合以及HBM等高附加價值產品。 
其中，DRAM產業的資本支出在2025年預計將達到537.14億美元，預計在2026年進一步成長至613億美元，年增率達14%。NAND Flash部分，資本支出在2025年預計為211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，年增約5%。 在DRAM各供應商中，Micron（美光科技）被認為是最積極的廠商，其2026年資本支出預計達135億美元，年增23%，主要專注于1 gamma制程滲透和TSV設備建置。SK hynix（SK海力士）的增幅也十分顯著，2026年預計為205億美元，年增17%，以應對M15x的HBM4產能擴張。Samsung（三星）預計投入200億美元，年增11%，用于HBM的1C制程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。 TrendForce集邦咨詢指出，目前在無塵室空間也有不足供應的情況，檢視所有DRAM供應商的產能空間，僅有Samsung與SK hynix仍有小幅擴大產線的機會，而Micron則需要等待其ID1新廠落成，最快2027年才能有產出，因此任何后續上修的資本支出對2026的位元產出貢獻皆非常有限。 而在NAND Flash各供應商中，Kioxia/SanDisk（鎧俠/閃迪）因沒有DRAM業務，被認為是最積極擴大產能以鞏固地位的廠商。Kioxia/SanDisk預計投入45億美元，年增41%，加速BiCS8生產并投資BiCS9研發。Micron 2026年目標是微幅增加NAND Flash產能并專注于G9制程和Enterprise SSD業務，預計資本支出年增幅達63%。相較之下，Samsung和SK Hynix/Solidigm（思得）則將縮減或限制NAND Flash資本支出，優先將投資轉向HBM和DRAM領域。 TrendForce集邦咨詢分析，此次NAND Flash產業需求的爆發，主要受AI對儲存容量需求的急速攀升，以及HDD供應不足導致云端服務供應商(CSP)轉單所帶動。此現象屬于結構性短缺，而非短暫的市場波動。 然而，過去數年產業經歷多次景氣循環，使部分廠商在資本支出與擴產策略上趨于保守。隨著2026年資本支出重心放在制程升級和導入hybrid-bonding而非擴產，將導致供應位元增幅有限，TrendForce集邦咨詢認為，NAND Flash市場的供不應求狀態預計將延續2026年全年。 |
