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到底DDR走線能不能參考電源層啊?

發(fā)布時(shí)間:2025-11-11 17:51    發(fā)布者:edadoc2003
高速先生成員--黃剛
一些通用的PCB設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)以及高速信號(hào)理論,都告訴我們PCB上的信號(hào)最好都以地平面為參考,尤其是高速走線,建議上下參考平面都是地平面是最好的方法。但是產(chǎn)品類型千千萬(wàn)萬(wàn),導(dǎo)致疊層的設(shè)計(jì)也變化萬(wàn)千,有時(shí)候?yàn)榱顺杀緶p小層數(shù),這樣就可能會(huì)導(dǎo)致信號(hào)參考到電源平面的情況。當(dāng)然,作為一名有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)工程師,還是會(huì)優(yōu)先保證主要的高速串行信號(hào)上下層都有完整的地平面做參考。在保證重要的高速信號(hào)后,一般來(lái)說(shuō),要去犧牲不那么高速的DDR模塊走線了。


沒辦法,誰(shuí)叫你速率沒有高速信號(hào)那么高,關(guān)鍵是你還要用那么多層去布線,所以只能犧牲DDR信號(hào)了。那這樣就尷尬了,很多PCB工程師覺得違背了他們一貫的設(shè)計(jì)原則,不敢下手去畫了。


一般這種PCB設(shè)計(jì)工程師定不了的時(shí)候,高速先生就必須出來(lái)說(shuō)話了。我們截取一段DDR的地址信號(hào)進(jìn)行研究,疊層和走線情況如下所示:


這根地址信號(hào)走線在L3層,參考L2和L4層,其中L4層是主要的參考平面,是一個(gè)電源平面,距離L3走線層是4mil,L2層雖然是地平面,但是距離L3走線層卻有差不多16mil的距離。顯而易見,這根L3層的地址信號(hào)主要參考的是L4層的電源平面了。就像下面這個(gè)3D仿真模型展示的一樣。


要不。。。我們還是首先來(lái)看看如果是L3層的這根地址信號(hào)上下都是地平面的常規(guī)情況的結(jié)果吧,也就是把上面的電源平面也換成地平面,這樣L3層走線上下都是參考地平面了,模型如下所示:


我們先來(lái)看看阻抗的情況,這根地址信號(hào)的走線是要求按40歐姆來(lái)設(shè)計(jì),經(jīng)過仿真后,我們看到上下都是地平面設(shè)計(jì)的阻抗仿真結(jié)果非常接近40歐姆走線阻抗。


那么大家是不是很好奇,如果是參考電源平面的case,阻抗是多少呢?會(huì)不會(huì)差很遠(yuǎn)很遠(yuǎn)啊!淡定,高速先生可以很負(fù)責(zé)任的告訴大家,不會(huì)!如下圖所示,參考電源平面后,阻抗也是差不多40歐姆左右。


兩者一對(duì)比,其實(shí)發(fā)現(xiàn),對(duì)于阻抗來(lái)說(shuō),參考電源平面和參考地平面其實(shí)差的不遠(yuǎn)。


那是不是只要阻抗沒啥影響,也就代表著DDR信號(hào)參考電源平面完整沒有問題呢?當(dāng)然。。。也不是啦!阻抗只是其中的一個(gè)性能的表征手段,除此之外,我們還是要關(guān)注下插入損耗的情況。
首先,我們還是來(lái)看看常規(guī)的上下參考地平面的插入損耗結(jié)果。和我們預(yù)料的一樣,參考地平面時(shí),插入損耗的結(jié)果從低頻一直到高頻都是非常線性的,完全沒得問題!


這個(gè)時(shí)候大家是不是很期待,參考電源平面的插入損耗曲線長(zhǎng)啥樣呢?按道理說(shuō),阻抗和參考地平面差別很小,預(yù)期插入損耗的結(jié)果也不會(huì)偏差很大吧?


這次可能又要讓大家失望了,參考電源平面的插入損耗結(jié)果是下面這個(gè)熊樣的哦!


啥啊,高頻波動(dòng)那么大,那么差啊,這壓根就不行啊!你說(shuō)對(duì)了,高頻的確不行,但是別忘了,我們DDR模塊的速率,以DDR4為例,一般地址信號(hào)的速率也就是1.2Gbps到1.6Gbps,所以理論上我們關(guān)注前面3GHz左右的頻段就可以了。后面的高頻部分都已經(jīng)是DDR運(yùn)行頻率的3倍頻之后了,能量其實(shí)就很少了。
咦,如果按照這個(gè)觀點(diǎn)再對(duì)比參考地平面和參考電源平面的插入損耗結(jié)果的話,在3GHz以前倒是差得不大哦。這也就是為什么我們的確能看到有的產(chǎn)品的DDR模塊的地址控制信號(hào)參考電源平面也能跑到額定速率的原因了。。。


當(dāng)然,上面只是從比較理想的仿真結(jié)果上來(lái)得出的結(jié)論。實(shí)際上也要考慮到加工的因素,包括電源平面也會(huì)存在噪聲影響的因素,還有就是不同設(shè)計(jì)地址信號(hào)走線長(zhǎng)度不同,參考的電源網(wǎng)絡(luò)不同,包括電容配置不同等眾多因素。另外為什么在很多非常規(guī)設(shè)計(jì)中,一般只看到地址控制信號(hào)參考電源平面的設(shè)計(jì),很少看到數(shù)據(jù)信號(hào)參考電源平面呢,那是因?yàn)閿?shù)據(jù)信號(hào)的速率更高,3倍頻下可能就到了5-6GHz以上了,這個(gè)時(shí)候從上面的插入損耗曲線來(lái)看,差異就變得慢慢明顯了。總而言之,高速先生的觀點(diǎn)是并不完全拒絕DDR走線參考電源平面的可行性,但是遇到這樣的非常規(guī)設(shè)計(jì),我們需要更謹(jǐn)慎的去對(duì)待它,最好有一些仿真數(shù)據(jù)的支撐來(lái)確認(rèn)更大的成功率才行!

問題:大家有沒有做過一些覺得是非常規(guī)的DDR設(shè)計(jì),可以分享下?

關(guān)于一博:
一博科技成立于2003年3月,深圳創(chuàng)業(yè)板上市公司,股票代碼: 301366,專注于高速PCB設(shè)計(jì)、SI/PI仿真分析等技術(shù)服務(wù),并為研發(fā)樣機(jī)及批量生產(chǎn)提供高品質(zhì)、短交期的PCB制板與PCBA生產(chǎn)服務(wù)。致力于打造一流的硬件創(chuàng)新平臺(tái),加快電子產(chǎn)品的硬件創(chuàng)新進(jìn)程,提升產(chǎn)品質(zhì)量。

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