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工業(yè)領域中的快速直流電動汽車（EV）充電、兆瓦級充電、儲能系統(tǒng)，以及不間斷電源設備，往往需要在嚴苛環(huán)境條件與波動負載的運行模式下工作。這些應用對高能效、穩(wěn)定的功率循環(huán)能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了EasyPACK C 系列產(chǎn)品 ——EasyPACK 封裝家族的新一代產(chǎn)品。該全新封裝系列的首款產(chǎn)品為碳化硅（SiC）功率模塊，集成了英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V G2技術(shù)，并采用了公司專有的.XT 互連技術(shù)。通過降低靜態(tài)損耗并提高可靠性，這些模塊有助于滿足工業(yè)應用領域日益增長的能源需求，并助力實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標。 憑借英飛凌的 CoolSiC MOSFET G2 技術(shù)，新產(chǎn)品較上一代 CoolSiC MOSFET功率密度提升超過30%，使用壽命延長高達 20 倍。此外，該產(chǎn)品的導通電阻（RDS(on)）顯著降低約 25%。不僅如此，全新的 EasyPACK C 封裝設計理念進一步提高了功率密度與布局靈活性，為未來更高電壓等級的產(chǎn)品設計奠定了基礎。而英飛凌的.XT 互連技術(shù)進一步延長了器件的使用壽命。 
英飛凌CoolSiC MOSFET Easy 2C .XT 該系列模塊可承受結(jié)溫（Tvj(over)）高達 200°C 的過載開關工況。搭載全新 PressFIT 壓接引腳，其電流承載能力提升一倍，同時降低PCB板的溫度，并優(yōu)化安裝流程。全新的塑封材質(zhì)與硅凝膠設計，支持該模塊在最高 175°C 的結(jié)溫（Tvj(op)）下依然穩(wěn)定運行。此外，該系列模塊還具備一分鐘內(nèi)耐受3千伏交流電的隔離等級。這些特性共同助力該模塊實現(xiàn)更卓越的系統(tǒng)能效、更長的使用壽命，以及更出色的耐高溫性能。 采用 EasyPACK C 封裝的全新模塊提供多種拓撲結(jié)構(gòu)，包括三電平（3-level）和 H 橋（H-bridge）配置，且同時提供含/不含熱界面材料的兩種版本。 供貨情況 首款采用 EasyPACK C 封裝且集成 CoolSiC MOSFET G2 技術(shù)的模塊現(xiàn)已上市。英飛凌計劃進一步拓展產(chǎn)品組合，以滿足不同應用領域不斷變化的需求。更多信息，敬請訪問：www.infineon.com/products/power/mosfet/silicon-carbide/modules。 |
