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東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用，適用于數據中心和通信基站使用的工業設備。產品于今日開始正式出貨。 
100V U-MOS11-H系列優化了器件結構，進一步改善了U-MOSX-H系列的漏源導通電阻（RDS(ON)）、總柵極電荷（Qg）以及這兩者（RDS(ON)×Qg）之間的平衡，從而降低了導通及開關損耗。 與U-MOSX-H系列產品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了約8%，Qg降低了37%，RDS(ON)×Qg改善了42%。此外，它還可通過應用壽命控制技術[2]實現高速體二極管性能，從而降低反向恢復電荷（Qrr）并抑制尖峰電壓。與TPH3R10AQM相比新產品的Qrr改善約38%，RDS(ON)×Qrr改善約43%。這些業界領先[3]的RDS(ON)×Qg和RDS(ON)×Qrr平衡特性[4]可最大限度降低功耗，從而提高電源系統的效率和功率密度。新產品還采用SOP Advance (N)封裝，具有與行業標準高度兼容的貼裝特性。 未來東芝將繼續擴大其低損耗MOSFET的產品線，為實現更高效的電源以及降低設備功耗做出貢獻。
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注： [1] 截至2025年9月，東芝的低壓功率MOSFET工藝。東芝調查。 [2] 壽命控制技術：利用Pt擴散工藝在半導體中引入缺陷，故意縮短載流子壽命，可提高開關速度，進而可提高二極管的恢復速度并降低噪聲。 [3] 截至2025年9月，與其他適用于工業級100V N溝道功率MOSFET相比。東芝調查。 [4] RDS(ON)×Qg＝120mΩ·nC（典型值），RDS(ON)×Qrr＝127mΩ·nC（典型值） 如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址： TPH2R70AR5 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH2R70AR5.html 如需了解相關東芝MOSFET的更多信息，請訪問以下網址： MOSFET https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html 如需了解相關高精度SPICE模型（G2模型）的更多信息，請訪問以下網址： G2模型 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/knowledge/highlighted-contents/articles/simulating-the-transient-characteristics-of-mosfet-more-accurately.html 如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址： TPH2R70AR5 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TPH2R70AR5.html *本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。 *本文檔中的產品價格和規格、服務內容和聯系方式等信息，在公告之日仍為最新信息，但如有變更，恕不另行通知。 |
