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器件降低開關損耗并提高效率，Qrr 低至105 nC，VF 低至 1.45 V，結電容低，恢復時間短 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款采用eSMP系列SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的新型器件---VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通過AEC-Q101認證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3，進一步擴充其第七代1200 V FRED Pt 超快恢復整流器平臺陣容。1 A和2 A整流器針對工業和汽車應用進行了優化，在同類器件中，不僅反向恢復電荷（Qrr）和正向壓降之間實現了權衡，而且結電容更低，恢復時間更短。 
日前發布的Vishay Semiconductors整流器包括VS-E7JX0112-M3和VS-E7JX0212-M3，以及通過AEC-Q101認證的VS-E7JX0112HM3和VS-E7JX0212HM3。為了降低開關損耗并提高效率，器件融合了低至 45 ns 的快速恢復時間，低至 105 nC 的Qrr（典型值），低至 1.45 V 的正向壓降和低至2.5 pF的結電容等特點。性能可靠的整流器采用2.6 mm x 5.2 mm小型封裝，非重復峰值浪涌電流高達 21 A，厚度低至0.95 mm，而類似封裝尺寸的SMA封裝器件為2.3 mm。器件最小爬電距離僅3.2 mm，模塑料相對漏電起痕指數（CTI）≥ 600（材料組別 I），在滿足IEC 60664-1高壓應用要求的基礎上，有助于減少元件數量，降低物料清單（BOM）成本。 VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212-M3和VS-E7JX0212HM3可用作反激輔助電源的鉗位、緩沖和續流二極管，也可用作自舉驅動器功能的高頻整流器，同時可為最新快速開關IGBT和高壓Si / SiC MOSFET提供去飽和保護。器件的典型應用包括工業驅動器和工具、電動汽車（EV）車載充電器和電機、發電和儲能系統，以及Ćuk轉換器和工業LED SEPIC電路。 整流器采用平面結構，通過鉑摻雜壽命控制，在不影響性能的情況下確保系統的可靠性和穩定性，同時經過優化的存儲電荷和低恢復電流可最大限度減少開關損耗并降低功耗。器件符合RoHS標準，無鹵素，潮濕敏感度達到 J-STD-020 標準 1 級，可在 +175 °C 高溫下工作。 器件規格表：
新型第七代整流器現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為8周。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
