為實現100A級二極管續流能力而采用多管并聯，是否正讓您的設計陷入均流調試、布局復雜和可靠性擔憂的困境？愛仕特科技量產推出的 ASC100D1200DT2（1200V/100A SiC肖特基二極管），以單管實現百安通流，直擊多管并聯核心痛點，助力工程師打造更簡潔、更穩健的高功率系統。
ASC100D1200DT2介紹， ASC100D1200DT2關鍵參數 。
碳 碳化硅（SiC）Schottky diode具有抗浪涌電流能力強、高溫反向漏電低、低正向導通壓降、零反向恢復、175℃工作結溫等特性。 單管解決方案的直接優勢 直接替代，消除并聯風險 顯著簡化設計與采購 1：PCB布局極大簡化：節省寶貴的板卡面積，減少驅動回路和均流電阻等外圍元件，降低布線復雜度。 2： 供應鏈管理更高效：BOM器件數量減少，采購、備料和生產貼裝流程得以簡化。 優異的散熱與通流能力 1：TO247-2封裝為單芯大電流優化設計，提供優良的散熱路徑。 2：結溫耐受175℃，高結溫下仍能保證出色的電流輸出能力，提升系統整體魯棒性和過載潛力。 告別并聯時代的困擾對比多管并聯方案的核心優勢
碳化硅材料帶來的性能提升 • 零反向恢復損耗 (Qrr≈0)：徹底消除開關損耗尖峰，提升系統效率（尤其在高頻應用中），并減小開關應力。 • 高溫特性優異：支持更高環境溫度運行，有助于減小散熱器尺寸或提升輸出功率。 ASC100D1200DT2的核心價值在于其自身的高電流密度特性，它為系統設計工程師提供了更優的基礎選項： 提升可靠性 • 通過“減法”消除多管并聯這一重大風險點。 簡化設計 • 讓工程師專注于拓撲和創新，而非繁瑣的并聯調試。 釋放潛力 • 憑借碳化硅的固有優勢，為系統的高效、高頻、高溫運行奠定基礎。 它代表了從“如何實現大電流”到“如何更好地利用大電流”的設計思維轉變。 碳化硅肖特基二極管的亮點表現： 更高電流密度、更低Qc：第三代二極管具有更高電流密度、更低Qc，使其在真實應用環境中開關損耗更低。 更強浪涌能力：通過工藝及設計迭代優化，第三代二極管實現了更高的浪涌能力。 更低成本：更高的電流密度帶來更小的芯片面積，使得器件成本較前兩代二極管進一步降低。 更高產量： 使用6英寸晶圓平臺，單片晶圓產出提升至4英寸平臺產出2倍以上。 碳化硅二極管（SiC SBD)產品概覽 |
